[发明专利]操作基板、半导体用复合基板、半导体电路基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201480019693.7 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105074870A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 半导体 复合 路基 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体用复合基板的操作基板，其特征在于，所述操作基板由多晶透光性氧化铝构成，所述多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，所述多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，所述多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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