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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]临时固定基板以及电子部件的模塑方法-CN201880015784.1有效
发明人：野村胜;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：临时固定基板(2)具备：固定面(1A)，用于将多个电子部件(6)粘接并利用树脂模塑(7)进行临时固定；和底面(3B)，处于固定面的相反侧。临时固定基板(2)由透光性陶瓷形成，在固定面(1A)分散有刮痕，构成透光性陶瓷的晶粒的研磨面以及晶界在底面露出。底面处的刮痕密度低于所述固定面处的刮痕密度。
临时固定以及电子部件方法

[发明专利]临时固定基板以及电子部件的临时固定方法-CN201880015995.5有效
发明人：野村胜;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：临时固定基板(2)具备：固定面(2a)，其用于粘接多个电子部件并利用树脂模塑进行临时固定；和底面(2b)，其处于固定面的相反侧。在观察临时固定基板(2)的横截面时，临时固定基板按照固定面(2a)从临时固定基板朝上而呈凸状的方式翘曲，并满足式(1)。0.45≤W3/4/W≤0.55…(1)(将在观察临时固定基板的横截面时的固定面的宽度设为W，将固定面相对于临时固定基板的翘曲的基准面的高度达到固定面相对于基准面的高度的最大值的3/4以上的区域的宽度设为W3/4。)。
临时固定以及电子部件方法

[实用新型]临时固定基板-CN202220750915.4有效
发明人：菊池芳郎;宫泽杉夫;野村胜;薮大辅 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H05K7/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种临时固定基板，该临时固定基板(1)具备用于粘接并临时固定电子部件的固定面(2)，在板侧面(3)具备倒角部(4)。本实用新型的临时固定基板(1)在其板侧面(3)具备倒角部(4)，因此能够有效地防止临时固定基板(1)的外周部的碎屑。
临时固定

[发明专利]预固定基板、复合基板以及电子元件的剥离方法-CN202080019256.0在审
发明人：野村胜;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在将电子元件预固定于预固定基板，从预固定基板侧照射激光而使预固定基板剥离时，改善剥离的成品率。预固定基板2具备：供电子元件粘接并预固定的固定面2a、以及处于固定面2a的相反侧的底面2b。预固定基板2具有外周部9和内周部10。内周部9的全光线透过率低于外周部10的全光线透过率，且为60.0％以上。
固定复合以及电子元件剥离方法

[发明专利]连接基板-CN201780011941.7有效
发明人： 宫泽杉夫;高垣达朗;井出晃启 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2017-02-01 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：连接基板具备：设置有贯通孔的陶瓷基板、以及设置在贯通孔中的贯通导体11，该贯通导体11具有第一主面11a和第二主面11b。贯通导体11具有：设置有与第一主面11a相连通的第一开口气孔16A、16D以及与第二主面11b相连通的第二开口气孔16B的金属多孔体20；形成在第一开口气孔16A、16D内的第一玻璃相17、19；形成在第二开口气孔16B内的第二玻璃相17B；设置在第一开口气孔内的第一空隙30；以及设置在第二开口气孔16B内的第二空隙32。第一空隙30为不与第一主面相连通的闭口空隙。第二空隙32为与第二主面11b相连通的开口空隙。
连接

[发明专利]连接基板的制造方法-CN201780010366.9有效
发明人：高垣达朗;宫泽杉夫;井出晃启 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：向陶瓷基材的贯通孔供给金属糊，通过加热而生成金属多孔体。在金属多孔体的主面涂布玻璃糊，并且使玻璃糊含浸到金属多孔体的开口气孔中。通过加热使玻璃糊固化，由此在金属多孔体的主面上形成玻璃层，且使含浸在开口气孔中的玻璃糊成为玻璃相。除去玻璃层，由此得到具备陶瓷基板1A、以及设置在贯通孔2A内的贯通导体11的连接基板10。贯通导体11具备金属多孔体和玻璃相。
连接制造方法

[发明专利]连接基板-CN201780006847.2有效
发明人：井出晃启;高垣达朗;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：设置在陶瓷基板的贯通孔内的贯通导体11具有：金属多孔体20、形成于金属多孔体20的气孔16A～16D的玻璃相17、19以及气孔内的空隙30、31。在贯通导体11的横截面处，气孔的面积比率为5～50％。在沿着陶瓷基板的厚度方向B观察贯通导体11并将其分为第一主面11a侧的第一部分11A和第二主面侧11b的第二部分11B时，第一部分11A中的玻璃相的面积比率大于第二部分11B中的玻璃相的面积比率，第一部分11A中的空隙的面积比率小于第二部分11B中的空隙的面积比率。
连接

[发明专利]半导体用复合基板的处理基板-CN201580000704.1有效
发明人： 宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：构成处理基板的透光性多晶氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，透光性多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下。处理基板的接合面侧的表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔数量为表面区域中所含的大小为0.1μm以上、0.3μm以下的气孔数量的0.5倍以下。
半导体复合处理

[发明专利]具有贯通孔的绝缘基板-CN201580000703.7有效
发明人：高垣达朗;岩崎康范;宫泽杉夫;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-02-24 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明提供排列有导体用的贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～300μm，贯通孔2的直径W为20μm～100μm，绝缘基板(1)由氧化铝烧结体形成。氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，平均粒径为2～50μm。
具有贯通绝缘

[发明专利]半导体用复合基板的操作基板及半导体用复合基板-CN201580006859.6有效
发明人：井出晃启;高垣达朗;宫泽杉夫;岩崎康范 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体用复合基板的操作基板4包括：基底基板，该基底基板由多晶材料构成，及单组分且高纯度的非晶质层3，该非晶质层3设置在基底基板1上，具有耐化学腐蚀性。
半导体复合操作

[发明专利]复合基板、半导体装置及半导体装置的制法-CN201480009140.3有效
发明人：井出晃启;高垣达朗;宫泽杉夫;堀裕二;多井知义;服部良祐 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。
复合半导体装置制法

[发明专利]具有贯通孔的绝缘基板-CN201580000543.6有效
发明人：高垣达朗;岩崎康范;宫泽杉夫;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-02-20 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。
具有贯通绝缘

[发明专利]半导体用复合基板的操作基板-CN201480023299.0有效
发明人： 宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：操作基板1，由作为烧结助剂至少含有镁的透光性氧化铝陶瓷形成。操作基板1的相对于施主基板5的接合面1a上的镁浓度，在操作基板1的平均镁浓度的一半以下。
半导体复合操作

[发明专利]复合基板-CN201380030905.7有效
发明人：堀裕二;多井知义;井出晃启;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2013-06-11 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：复合基板10由支承基板12和压电基板14贴合而成，本实施方式中，支承基板12与压电基板14通过粘合层16贴合。该复合基板10的支承基板12由透光性氧化铝陶瓷制作，因此，较之于支承基板由不透明的陶瓷制作的情况，FCB时容易定位。此外，支承基板12的可见光区域(360～750nm)中的直线透过率及前方全光线透过率分别优选10％以上及70％以上。
复合

[发明专利]半导体用复合基板的操作基板以及半导体用复合基板-CN201580000420.2有效
发明人： 宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。
半导体复合操作以及

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