[发明专利]用于监视半导体制作的方法及设备有效
| 申请号： | 201480013984.5 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105144360B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 兰迪·亚奇 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于对半导体制作进行过程监视的半导体芯片，其具有多个阵列，所述多个阵列具有多个二极管，每一二极管形成于所述芯片中，每一二极管与具有至少一个水平互连件(410)的堆叠相关联，所述堆叠与所述二极管串联连接以形成二极管堆叠组合，其中所述水平互连件具有经自对准硅化多晶硅互连件，所述经自对准硅化多晶硅互连件包括互补经掺杂多晶硅区段(412、414)以形成经反向偏置二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监视 半导体 制作 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于对半导体制作进行过程监视的半导体芯片，其包括：多个阵列，其进一步包括：多个二极管，每一所述二极管形成于衬底中，每一所述二极管与包括至少一个水平互连件的堆叠相关联，所述堆叠与所述二极管串联连接以形成二极管堆叠组合，其特征在于，所述水平互连件包括经自对准硅化多晶硅互连件，所述经自对准硅化多晶硅互连件包括互补经掺杂多晶硅区段以形成相对于所述二极管的经反向偏置二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
