[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480012215.3 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105210194B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪;中村亮太 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;张懿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部，在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽，当导通时在所述栅极沟槽的侧部形成沟道，所述外周部具有配置在所述栅极沟槽的深度以上的深度位置的半导体表面，进一步包含耐压构造，其具有形成在所述外周部的所述半导体表面的第2导电型的半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部，在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽，所述单元部包含：第1导电型的源极区域，以在所述半导体层的表面露出的方式配置；第2导电型的沟道区域，以与所述源极区域相接的方式配置并且在导通时形成沟道；以及第1导电型的漏极区域，以与所述沟道区域相接的方式配置，所述外周部具有配置在所述栅极沟槽的深度以上的深度位置的半导体表面，所述半导体装置进一步包含：耐压构造，其具有形成在所述外周部的所述半导体表面的第2导电型的半导体区域；以及源极电极，与所述源极区域及所述耐压构造直接连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480012215.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
