[发明专利]具有用于外延处理的均匀性调整透镜的基座支撑杆有效
申请号: | 201480010968.0 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN105027275B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 哲鹏·丛;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷;石井雅人;李学斌;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;刘树坤;保罗·布里尔哈特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施方式大体涉及基座支撑杆及包括该基座支撑杆的处理腔室。基座支撑杆支撑基座于基座支撑杆上,该基座又在处理期间支撑基板。即使当旋转基座支撑杆时,基座支撑杆也能通过为射向基座和/或基板的高温计聚焦射束提供一致的路径而减小基座和/或基板的温度测量的变化。基座支撑杆还具有相对较低的热质量,这增加了处理腔室的升温及降温速率。在一些实施方式中,为了获得最佳的外延处理厚度均匀性,可在实心盘的顶部上可移除地放置定制的折射元件以在基座和/或基板各处重新分布二次热分布。 | ||
搜索关键词: | 支撑杆 基板 处理腔室 透镜 厚度均匀性 均匀性调整 处理期间 温度测量 旋转基座 折射元件 支撑基板 支撑基座 重新分布 高温计 可移除 实心盘 次热 减小 射束 聚焦 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理腔室的基座支撑杆,所述基座支撑杆包括:支撑杆;和支撑主体,所述支撑主体耦接至所述支撑杆,所述支撑主体包括:实心盘;多个底座,所述多个底座从所述实心盘向外延伸;至少三个支撑臂,所述至少三个支撑臂从所述多个底座中的一些底座延伸;和至少三个虚设臂,所述至少三个虚设臂从所述多个底座中的一些底座延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造