[发明专利]具有用于外延处理的均匀性调整透镜的基座支撑杆有效
申请号: | 201480010968.0 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN105027275B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 哲鹏·丛;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷;石井雅人;李学斌;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;刘树坤;保罗·布里尔哈特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑杆 基板 处理腔室 透镜 厚度均匀性 均匀性调整 处理期间 温度测量 旋转基座 折射元件 支撑基板 支撑基座 重新分布 高温计 可移除 实心盘 次热 减小 射束 聚焦 | ||
1.一种用于处理腔室的基座支撑杆,所述基座支撑杆包括:
支撑杆;和
支撑主体,所述支撑主体耦接至所述支撑杆,所述支撑主体包括:
实心盘;
多个底座,所述多个底座从所述实心盘向外延伸;
至少三个支撑臂,所述至少三个支撑臂从所述多个底座中的一些底座延伸;和
至少三个虚设臂,所述至少三个虚设臂从所述多个底座中的一些底座延伸。
2.如权利要求1所述的基座支撑杆,其中这些支撑臂以相等的间隔彼此隔开,且这些支撑臂中的每一个支撑臂都包括弯头,所述弯头向上弯曲至所述支撑臂的末端。
3.如权利要求1所述的基座支撑杆,其中这些支撑臂中的每一个支撑臂都包括穿过所述每一个支撑臂且用于接收升降杆的开口。
4.如权利要求1所述的基座支撑杆,进一步包括:
折射透镜,所述折射透镜可移除地安置在所述实心盘上,其中所述折射透镜由光透明材料形成。
5.如权利要求4所述的基座支撑杆,其中所述折射透镜在第一面上具有凸表面或凹表面,且在与所述第一面相对的第二面上具有凸表面或凹表面。
6.如权利要求5所述的基座支撑杆,其中所述折射透镜具有恒定的厚度。
7.如权利要求5所述的基座支撑杆,其中所述折射透镜的所述凹表面具有200mm至1200mm的曲率半径。
8.如权利要求1所述的基座支撑杆,其中所述至少三个支撑臂和所述至少三个虚设臂交替地位于所述实心盘周围。
9.一种用于加热基板的处理腔室,所述处理腔室包括:
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述处理腔室内部;
下圆顶,所述下圆顶设置在所述基板支撑件之下;
上圆顶,所述上圆顶设置成与所述下圆顶相对,所述上圆顶包括:
中央窗口部分;和
外围凸缘,所述外围凸缘绕所述中央窗口部分的周边而与所述中央窗口部分啮合,其中所述中央窗口部分和所述外围凸缘由光透明材料形成;和
支撑杆,所述支撑杆耦接至所述基板支撑件,所述支撑杆包括:
杆;和
支撑主体,所述支撑主体耦接至所述杆,所述支撑主体包括:
实心盘;
多个底座,所述多个底座从所述实心盘向外延伸;
多个支撑臂,所述多个支撑臂从所述多个底座中的一些底座延伸,其中所述支撑臂中的每一个支撑臂都包括弯头,所述弯头向上弯曲至所述支撑臂的末端;和
多个虚设臂,所述多个虚设臂从所述多个底座中的一些底座延伸,其中所述虚设臂中的每一个虚设臂都是线性臂。
10.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述实心盘具有60毫米的半径,且其中所述实心盘具有比所述基板的表面积小30%至80%的表面积。
11.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述支撑杆进一步包括:
折射透镜,所述折射透镜可移除地安置在所述实心盘上,其中所述折射透镜由透明石英或透明塑料形成,且所述折射透镜被定大小以与所述实心盘的外周匹配。
12.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述支撑杆进一步包括:
折射透镜,所述折射透镜可移除地安置在所述实心盘上,其中所述折射透镜由玻璃形成,且所述折射透镜被定大小以与所述实心盘的外周匹配。
13.如权利要求11或12所述的处理腔室,其中所述折射透镜在面向所述基板支撑件的背面的第一面上具有凸表面或凹表面,且其中所述折射透镜在背向所述基板支撑件的所述背面的第二面上具有凸表面或凹表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造