[发明专利]用ALD层封装的光电子半导体芯片和相应的制造方法有效
| 申请号： | 201480006010.4 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104956501B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 约翰·艾布尔;塞巴斯蒂安·特格尔;卢茨·赫佩尔;卡尔·恩格尔;斯特法尼·拉梅尔斯贝格尔;马库斯·毛特;迈克尔·胡贝尔;赖纳·哈特曼;格奥尔格·哈通 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种光电子半导体芯片，具有：半导体本体(40)，所述半导体本体包括设为用于产生电磁辐射的有源区域(42)；第一镜层(21)，所述第一镜层设为用于反射电磁辐射；第一封装层(31)，所述第一封装层由电绝缘材料形成；和载体(10)，所述载体设为用于机械地支撑第一封装层(31)、第一镜层(21)和半导体本体(40)，其中第一镜层(21)设置在载体(10)和半导体本体(40)之间；第一封装层(31)设置在载体(10)和第一镜层(21)之间；并且第一封装层(31)是ALD层。 | ||
| 搜索关键词： | ald 封装 光电子 半导体 芯片 相应 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体芯片，具有：‑半导体本体(40)，所述半导体本体(40)包括设为用于产生电磁辐射的有源区域(42)；‑第一镜层(21)，所述第一镜层(21)设为用于反射电磁辐射；‑第一封装层(31)，所述第一封装层(31)由电绝缘材料形成；‑第四封装层(34)；‑载体(10)，所述载体(10)设为用于机械地支撑所述第一封装层(31)、所述第一镜层(21)和所述半导体本体(40)，和‑至少一个贯通接触部(51)，其中‑所述第一镜层(21)设置在所述载体(10)和所述半导体本体(40)之间；‑所述第一封装层(31)设置在所述载体(10)和所述第一镜层(21)之间；‑所述第一封装层(31)是ALD层；‑所述至少一个贯通接触部(51)穿过所述第一封装层(31)、所述第一镜层(21)和所述有源区域(42)，并且‑所述半导体本体(40)除了至少一个所述贯通接触部(51)以外完全由所述第一封装层(31)和所述第四封装层(34)包围，其中所述第四封装层(34)是ALD层。
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