[发明专利]半导体存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201480004208.9 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104904012B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 宋润洽;梁荧埈 | 申请（专利权）人： | IUCF-HYU(汉阳大学校产学协力团) |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体存储元件。基板上提供有垂直电极，所述垂直电极的侧壁上提供有阻断绝缘层。提供由所述阻断绝缘层与所述垂直电极间隔开的多个有源图形。在所述有源图形之间提供信息存储图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储元件，包括：基板上的垂直电极；所述垂直电极的侧壁上的阻断绝缘层；按顺序排置在所述基板上且被所述阻断绝缘层与所述垂直电极间隔开的多个有源图形；和所述有源图形之间的信息存储图形,其中，所述信息存储图形中的每个包括仅单个电荷存储层，以及其中，所述电荷存储层被配置成使用由所述垂直电极产生并且施加到所述有源图形之间的信息存储图形的边缘场来存储从所述有源图形流入的电荷。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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