[发明专利]冷却板、其制法以及半导体制造装置用部件有效
| 申请号: | 201480001099.5 | 申请日: | 2014-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN104254913A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
| 发明(设计)人: | 神藤明日美;井上胜弘;胜田佑司;片居木俊;天野真悟;杉本博哉 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C04B35/565 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1~第3基板(31~33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1~第3基板(31~33)由致密质复合材料形成,所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系接合材料并将各基板(31~33)进行热压接合而形成。 | ||
| 搜索关键词: | 冷却 制法 以及 半导体 制造 装置 部件 | ||
【主权项】:
一种冷却板,其为在内部形成有制冷剂通路且用于冷却AlN陶瓷部件的冷却板,该冷却板具有:第1基板,其由致密质复合材料制成,所述致密质复合材料中,含量多的前3位是碳化硅、钛碳化硅、碳化钛,该排列顺序表示从含量多的到含量少的顺序,含有51~68质量%的所述碳化硅,不含硅化钛,开口气孔率为1%以下,第2基板,其由所述致密质复合材料制成,并具有冲孔成与所述制冷剂通路相同形状的冲孔部,第3基板,其由所述致密质复合材料制成,第1金属接合层,其通过在所述第1基板与所述第2基板之间夹持金属接合材料并将两基板进行热压接合从而形成于两基板间,以及第2金属接合层,其通过在所述第2基板与所述第3基板之间夹持金属接合材料并将两基板进行热压接合从而形成于两基板间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





