[实用新型]一种单通道低电容瞬态电压抑制器件有效
| 申请号： | 201420858051.3 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN204348725U | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 周源;马林宝 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市朝阳区东直门*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种单通道低电容瞬态电压抑制器件。该器件包括：第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底上第二导电类型外延层，半导体衬底和外延层之间第二导电类型的埋层区，和在所述外延层中并延伸至衬底的第一导电类型的隔离区。该器件进一步包括TVS管，包括形成在隔离区中的基区和形成在该基区中的发射区；第一二极管，包括形成在埋层区上外延区中的扩散区、形成在该扩散区中的发射区，以及形成在所述埋层区上外延区中的基区；第二二极管，包括形成在隔离区中的基区，以及形成在外延区中的发射区；形成在半导体衬底另一侧上的第一电极，和形成在外延层表面上用于形成所述瞬态电压抑制器件的金属布线层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 电容 瞬态 电压 抑制 器件 | ||
【主权项】：
一种单通道低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，该器件包括：第一导电类型的半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的第二导电类型外延层，第二导电类型不同于第一导电类型，形成在所述半导体衬底和所述外延层之间第二导电类型的埋层区，和形成在所述外延层中并延伸至衬底的第一导电类型的隔离区，该隔离区将所述外延层隔离出多个外延区，该器件进一步包括TVS管(11)，包括形成在隔离区中第一导电类型的基区(7)和形成在该基区中的第二导电类型的发射区(8)；第一二极管(9)，包括形成在埋层区上外延区中的第二导电类型的扩散区(6)、形成在该扩散区(6)中第二导电类型的发射区(8)，以及形成在所述埋层区上外延区中的第一导电类型的基区(7)；第二二极管(10)，包括形成在隔离区中的第一导电类型的基区(7)，以及形成在外延区中的第二导电类型的发射区(8)；形成在半导体衬底另一侧上的第一电极，和形成在外延层表面上用于形成所述单通道瞬态电压抑制器件的金属布线层，所述第一二极管和第二二极管的电容分别小于所述TVS管的电容。
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