[实用新型]一种单通道低电容瞬态电压抑制器件

权利要求书

1.一种单通道低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，该器件包括：

第一导电类型的半导体衬底，

形成在所述半导体衬底上的第二导电类型外延层，第二导电类型不同于第一导电类型，

形成在所述半导体衬底和所述外延层之间第二导电类型的埋层区，和

形成在所述外延层中并延伸至衬底的第一导电类型的隔离区，该隔离区将所述外延层隔离出多个外延区，

该器件进一步包括

TVS管(11)，包括形成在隔离区中第一导电类型的基区(7)和形成在该基区中的第二导电类型的发射区(8)；

第一二极管(9)，包括形成在埋层区上外延区中的第二导电类型的扩散区(6)、形成在该扩散区(6)中第二导电类型的发射区(8)，以及形成在所述埋层区上外延区中的第一导电类型的基区(7)；

第二二极管(10)，包括形成在隔离区中的第一导电类型的基区(7)，以及形成在外延区中的第二导电类型的发射区(8)；

形成在半导体衬底另一侧上的第一电极，和

形成在外延层表面上用于形成所述单通道瞬态电压抑制器件的金属布线层，

所述第一二极管和第二二极管的电容分别小于所述TVS管的电容。

2.如权利要求1所述的单通道低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

3.如权利要求1所述的单通道低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述金属布线层包括将所述TVS管的发射区与所述第一二极管的发射区电连接的金属布线，以及将所述第二二极管的发射区和第一二极管的基区电连接的另一金属布线。

4.如权利要求3所述的单通道低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，该器件包括从所述金属布线或所述另一金属布线引出的输入输出电极。

5.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述半导体衬底的电阻率约为0.001～0.02Ω·cm。

6.如权利要求1所述的单通道低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述外延层的电阻率大于5.5Ω·cm，厚度大于7.5μm。

7.如权利要求1所述的单通道低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，隔离区的掺杂浓度为10¹⁹cm^-3量级，所述扩散区的掺杂浓度为1.0×10¹⁸～9.9×10¹⁹cm^-3。

8.如权利要求1所述的单通道低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述发射区的掺杂浓度为8.0×10¹⁹～2.0×10²⁰cm^-3。