[实用新型]一种芯片保护结构有效
| 申请号： | 201420434868.8 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN204067349U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张贺丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构呈十字交叉结构形成于芯片之间的十字交叉区域，并与各芯片的拐角紧密相接。本实用新型通过在芯片之间的十字交叉区域形成与各芯片的拐角紧密相接的芯片保护结构，可以大大加强芯片拐角处的抗应力破裂强度，从而提高芯片的性能和良率。本实用新型结构简单，效果显著，适用于半导体工业制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片保护结构，其特征在于，所述芯片保护结构呈十字交叉结构形成于芯片之间的十字交叉区域，并与各芯片的拐角紧密相接。
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