[发明专利]Burn-in半导体测试板的制作方法在审

专利信息
申请号: 201410857339.3 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104582286A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 罗娜;史宏宇;李艳国 申请(专利权)人: 广州兴森快捷电路科技有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H01L21/66
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 510663 广东省广州市广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种Burn-in半导体测试板的制作方法,该制作方法包括采用对透明微粘膜对超长板尺寸BGA区域的保护措施,金手指区域的叠层结构厚度方法和用阻流块和阻流点结合的工艺边、以及BGA阵列的每个BGA单独定位测量涨缩和钻孔的方式,解决了Burn-in半导体测试板存在阵列BGA的对位要求高、具有金手指板厚要求及易起皱问题,针对难点的制作方法进行优化,以得到更高的产品良率。
搜索关键词: burn in 半导体 测试 制作方法
【主权项】:
一种Burn‑in半导体测试板的制作方法,其特征在于包括:该测试板上BGA区域在传送过程中的保护步骤、该测试板上金手指区域的叠层步骤和工艺边的制作步骤,以及每个BGA单独定位测量涨缩和钻孔的步骤。
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