[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201410853629.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104576756B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 石龙强;曾志远;李文辉;苏智昱;吕晓文 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法。所述薄膜晶体管包括：基板；依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连。本发明的薄膜晶体管能够有效增加所述薄膜晶体管的开态电流，且具有较快的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体层 贯孔 漏极 源极 蚀刻阻挡层 基板 制备 栅极绝缘层 开态电流 依次层叠 半导体 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，所述缓冲层设置于是基板的表面上；通过所述缓冲层依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述第一贯 孔及所述第二贯 孔分别对应所述第一半导体层的两端设置，所述第二半导体层对应所述第一贯 孔与所述第二贯 孔之间的位置设置，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连；其中，所述第一半导体层充当一半导体层的同时也作为所述第二半导体层的栅极，所述源极及所述漏极均与所述第一半导体层及所述第二半导体层相连，以增加所述薄膜晶体管的开态电流及开关速度。
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