[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

基板；

缓冲层，所述缓冲层设置于是基板的表面上；

通过所述缓冲层依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；

以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述第一贯 孔及所述第二贯 孔分别对应所述第一半导体层的两端设置，所述第二半导体层对应所述第一贯 孔与所述第二贯 孔之间的位置设置，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连；

其中，所述第一半导体层充当一半导体层的同时也作为所述第二半导体层的栅极，所述源极及所述漏极均与所述第一半导体层及所述第二半导体层相连，以增加所述薄膜晶体管的开态电流及开关速度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一导电部，所述第一导电部用于连接所述源极与所述第一导电层以及连接所述源极与所述第二半导体层，所述第一导电部包括第一凸出部及第一覆盖部，所述第一凸出部的一端与所述第一覆盖部相连，所述第一凸出部收容于所述第一贯孔内以使所述第一凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第一覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第一贯孔，且所述第一覆盖部与所述源极相连。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二导电部，所述第二导电部用于连接所述漏极与所述第一半导体层以及连接所述漏极与所述第二半导体层，所述第二导电部包括第二凸出部及第二覆盖部，所述第二凸出部的一端与所述第二覆盖部的一端相连，所述第二凸出部收容于所述第二贯孔内以使所述第二凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第二覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第二贯孔，且所述第二覆盖部与所述漏极相连。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置于所述第一贯孔与所述第一半导体层之间。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置于所述第二贯孔与所述第一半导体层之间。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面上形成缓冲层

在所述基板的表面通过所述缓冲层依次层叠设置栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层及第二半导体层；

覆盖在所述第二半导体层且对应所述第二半导体层两端分别形成源极和漏极；

在所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极形成第一贯孔和第二贯孔，所述第一贯孔及所述第二贯 孔分别对应所述第一半导体层的两端设置，所述第二半导体层对应所述第一贯 孔与所述第二贯 孔之间的位置设置，以使所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过所述第二贯孔与所述第一半导体层相连，其中，所述第一半导体层充当一半导体层的同时也作为所述第二半导体层的栅极，所述源极及所述漏极均与所述第一半导体层及所述第二半导体层相连，以增加所述薄膜晶体管的开态电流及开关速度。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：

形成第一导电部，所述第一导电部包括第一凸出部及第一覆盖部，所述第一凸出部的一端与所述第一覆盖部相连，所述第一凸出部收容于所述第一贯孔内以使所述第一凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第一覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第一贯孔，且所述第一覆盖部与所述源极相连。