[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410837787.7 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105776124A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 何昭文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述MEMS器件包括：半导体衬底；背板，位于所述半导体衬底上方；振膜，位于所述背板上方，包括间隔设置的第一振膜和第二振膜；牺牲层，位于所述振膜和所述背板之间；其中，所述第一振膜与所述背板之间形成有空腔，所述空腔下方的所述半导体衬底中形成有背腔；在所述第一振膜上形成有第一电极接触，所述第二振膜上形成有第二电极接触。本发明在所述MEMS麦克风中设计另一电容与该MEMS麦克风电容串联，通过调节另一电容的电容值来达到调节MEMS麦克风电容上分配的电压，使MEMS麦克风上分配到的电压为其工作电压，IC电路可以统一生产，减小了成本，有利于批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，包括：半导体衬底；背板，位于所述半导体衬底上方；振膜，位于所述背板上方，包括间隔设置的第一振膜和第二振膜；牺牲层，位于所述振膜和所述背板之间；其中，所述第一振膜与所述背板之间形成有空腔，所述空腔下方的所述半导体衬底中形成有背腔；在所述第一振膜上形成有第一电极接触，在所述第二振膜上形成有第二电极接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410837787.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硅基微结构温热处理成形多样性控制方法
- 下一篇：接头式酒精瓶漏斗
