[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在源电极与漏电极之间、在第二半导体层和第三半导体层中的开口；形成在开口的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由绝缘层形成在开口中的栅电极。

主权项

1.一种半导体器件，包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在所述第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在所述第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在所述第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在所述源电极与所述漏电极之间的在所述第一半导体层中的凹陷；在所述源电极与所述漏电极之间的穿透所述第二半导体层和所述第三半导体层并且到达所述凹陷的沟槽；形成在所述沟槽的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由所述绝缘层形成在沟槽中的栅电极，其中所述栅电极包括形成为接触源电极侧上的所述绝缘层的第一栅电极部和形成为接触漏电极侧上的所述绝缘层的第二栅电极部，所述第一栅电极部和所述第二栅电极部形成在所述沟槽中，以及所述第一栅电极部和所述第二栅电极部由彼此不同的材料形成，其中，所述第一栅电极部由包含Pt、Ni、Au、Pd和Cu中的任意元素的材料形成，以及所述第二栅电极部由包含Mo、Al、Ta和Ti中的任意元素的材料形成。