[发明专利]Ga2 有效
| 申请号： | 201410810880.9 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104726935B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;东胁正高 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;独立行政法人情报通信研究机构 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/02;C30B23/02;H01L21/02;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872;H01L29/04;H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供能在量产时以足够的生长速度形成晶体品质、表面的平坦性优异的Ga |
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| 搜索关键词： | ga base sub | ||
【主权项】：
一种Ga2O3系晶体膜的成膜方法，其特征在于，在Ga2O3系基板的面方位为(001)的主面上以750℃以上的生长温度使Ga2O3系晶体膜外延生长。
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