[发明专利]金属线结构和方法有效
| 申请号： | 201410807978.9 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105321925B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 高祥伦;刘相玮;杨岱宜;陈建华;廖御杰;王永智;林天禄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种器件，包括位于衬底上方的金属化层中的第一圆形金属线、位于金属化层中的第二圆形金属线、位于第一圆形金属线和第二圆形金属线的侧壁之间的第一气隙、位于金属化层中的第一金属线，其中，第一金属线的顶面高于第二圆形金属线的顶面，并且第一金属线的底面与第二圆形金属线的底面基本齐平，以及位于第二圆形金属线和第一金属线的侧壁之间的第二气隙。本发明还提供了形成金属线的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 圆形金属线 金属线 金属化层 侧壁 底面 顶面 气隙 金属线结构 基本齐平 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一导电线，位于衬底上方，所述第一导电线具有第一截面形状的第一部分，所述第一截面形状包括：第一圆形顶面；第一圆角，位于所述第一导电线的第一侧壁和所述第一圆形顶面之间；和第二圆角，位于所述第一导电线的第二侧壁和所述第一圆形顶面之间；第二导电线；以及第一气隙，位于所述第一导电线和所述第二导电线的侧壁之间，所述第一气隙的由蚀刻停止层形成的侧壁分别与所述第一导电线和所述第二导电线直接接触。
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