[发明专利]用于小间距PoP封装结构的焊球在审
| 申请号： | 201410759291.2 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104485318A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈南南 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于小间距PoP封装结构的焊球，其特征是：包括铜核/柱，在铜核/柱表面镀覆第一镀层，在第一镀层的表面镀覆第二镀层。所述第一镀层为镍层。所述第二镀层为合金钎料层。所述铜核/柱为椭球形、矩形柱形、圆柱形或圆角矩形柱形。所述焊球为椭球形、矩形柱形、圆柱形或圆角矩形柱形。所述第一镀层的厚度为2～50μm，第二镀层的厚度为2～50μm。本发明所述用于小间距PoP封装结构的焊球，解决了PoP封装堆叠互连的坍塌、偏移问题，并且可以有效减小植球间距，适应电子封装的高度I/O发展需求。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间距 pop 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种用于小间距PoP封装结构的焊球，其特征是：包括铜核/柱（1），在铜核/柱（1）表面镀覆第一镀层（2），在第一镀层（2）的表面镀覆第二镀层合金钎料层（3）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410759291.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
