[发明专利]晶片封装体及其制作方法有效
申请号: | 201410758635.8 | 申请日: | 2014-12-11 |
公开(公告)号: | CN105742300B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 孙唯伦;林佳升;何彦仕;刘沧宇 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶片封装体及其制作方法,该晶片封装体包含封装基材、半导体元件与多个导电结构。半导体元件具有中央区与围绕中央区的边缘区。导电结构位于封装基材与半导体元件之间。导电结构具有不同的高度,且导电结构的高度从半导体元件的中央区往半导体元件的边缘区逐渐增大,使得半导体元件的边缘区与封装基材之间的距离大于半导体元件的中央区与封装基材之间的距离。由此,本发明的半导体元件的正面(即影像感测面)为凹面,可模拟成视网膜的形状,当半导体元件的影像感测面感测影像时,光线容易集中,可降低影像失真的可能性。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片封装体,其特征在于,包含:一封装基材;一半导体元件,具有一中央区与围绕该中央区的一边缘区;以及多个导电结构,位于该封装基材与该半导体元件之间,其中所述导电结构具有不同的高度,且所述导电结构的高度从该半导体元件的该中央区往该半导体元件的该边缘区逐渐增大,使得该半导体元件的该边缘区与该封装基材之间的距离大于该半导体元件的该中央区与该封装基材之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的