[发明专利]磊晶生成结构及其生成方法在审
| 申请号： | 201410740951.2 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105734674A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 郑克勇;王佑立;吴浚宏;李品颐;邱绍谚 | 申请（专利权）人： | 郑克勇 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张德斌 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磊晶生成结构及其生成方法。该生成结构包含：基板；多个晶种，以阵列式排列并设置于基板的表面；多个纳米柱，分别纵向设置于所述晶种上；以及薄膜，水平覆盖于多个纳米柱的上表面以形成平面。本发明的磊晶生成结构及其生成方法可以降低磊晶缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种磊晶生成结构，适用于氮化镓的磊晶生成结构，该磊晶生成结构包含：基板；多个晶种，以阵列式排列并设置于所述基板的表面；多个纳米柱，分别纵向设置于所述晶种上；以及薄膜，水平覆盖于所述多个纳米柱的上表面以形成平面。
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