[发明专利]磊晶生成结构及其生成方法

权利要求书

1.一种磊晶生成结构，适用于氮化镓的磊晶生成结构，该磊晶生成结构包含：

基板；

多个晶种，以阵列式排列并设置于所述基板的表面；

多个纳米柱，分别纵向设置于所述晶种上；以及

薄膜，水平覆盖于所述多个纳米柱的上表面以形成平面。

2.根据权利要求1所述的磊晶生成结构，其中，所述晶种为氮化铝。

3.根据权利要求2所述的磊晶生成结构，其中，所述纳米柱与所述薄膜为氮化镓。

4.根据权利要求3所述的磊晶生成结构，其中，所述纳米柱的长度为50nm-150nm；宽度为100-300nm。

5.根据权利要求4所述的磊晶生成结构，其中，所述以阵列式排列的晶种之间的间距为100-300nm。

6.根据权利要求5所述的磊晶生成结构，其中，所述薄膜厚度为3-4μm或3-5μm。

7.根据权利要求1所述的磊晶生成结构，其中，所述基板为硅基板、蓝宝石基板、氮化镓基板或碳化硅基板。

8.一种磊晶生成结构的生成方法，适用于氮化镓的磊晶生成，该方法包含：

提供基板；

在该基板上设置氮化铝层，并利用强酸蚀刻所述氮化铝层，使该氮化铝层形成以阵列式排列的多个晶种；

利用磊晶成长使氮化镓在所述晶种上纵向生成多个纳米柱；以及

利用磊晶成长使氮化镓横向生成薄膜；

其中，该薄膜水平覆盖于所述多个纳米柱的上表面以形成平面。

9.根据权利要求8所述的磊晶生成结构的生成方法，其中，所述基板为硅基板、蓝宝石基板、氮化镓基板或碳化硅基板。

10.根据权利要求9所述的磊晶生成结构的生成方法，其中，阵列式排列的所述晶种之间的间距为100-300nm。