[发明专利]一种制备石膏晶须的方法在审

专利信息
申请号: 201410737390.0 申请日: 2014-12-05
公开(公告)号: CN104499040A 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 韩甲兴;杨刚;王幼琴;金强 申请(专利权)人: 上海宝冶钢渣综合开发实业有限公司;中冶宝钢技术服务有限公司
主分类号: C30B7/10 分类号: C30B7/10;C30B29/62;C30B29/46
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200941上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种制备石膏晶须的方法,包括以下步骤:1)将石灰石污泥烘干,获得石灰石粉末;2)取一定量的石灰石粉末中加入稀硫酸反应,生成硫酸钙;3)将步骤2)中获得的硫酸钙过滤后,加水配成硫酸钙溶液并控制其浓度,再加入硫酸锌作为催化剂,进行水热反应后,过滤即得半水石膏晶须;4)将半水石膏晶须干燥后,获得无水石膏晶须。本发明的一种制备石膏晶须的方法,利用炼钢工业中产生的被视为废渣的石灰石污泥以及硫酸废液“变废为宝”,制备具有优异性能的无水石膏晶须。该方法不但降低了石膏晶须的生产成本,而且保护了环境,对社会与环境的和谐发展产生较好的影响。
搜索关键词: 一种 制备 石膏 方法
【主权项】:
一种制备石膏晶须的方法,包括以下步骤:1)将石灰石污泥烘干,获得石灰石粉末;2)取一定量的石灰石粉末中加入稀硫酸反应,生成硫酸钙;3)将步骤2)中获得的硫酸钙过滤后,加水配成硫酸钙溶液并控制其浓度,再加入硫酸锌作为催化剂,进行水热反应后,过滤即得半水石膏晶须;4)将半水石膏晶须干燥后,获得无水石膏晶须。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宝冶钢渣综合开发实业有限公司;中冶宝钢技术服务有限公司;,未经上海宝冶钢渣综合开发实业有限公司;中冶宝钢技术服务有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410737390.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种非线性光学晶体材料及制备方法与应用-201910688550.X
  • 李志华;曹国炜;郄元元;罗楠楠;张敏 - 山东师范大学
  • 2019-07-29 - 2019-11-08 - C30B7/10
  • 本公开提供了一种非线性光学晶体材料及制备方法与应用,其制备方法为:采用低温水热合成法制备NBBF,在低温水热合成体系中添加表面活性剂,低温水热合成的反应时间与表面活性剂的浓度的比例不低于12:0.01,h:mol·L‑1。本公开制备过程操作简单,成本低,重复性好,产率高,具有普适性和规模生产价值。本公开提供的非线性光学晶体材料具有更为优异的电化学循环性能。
  • 一种非线性光学晶体及其制备方法和应用-201910719517.9
  • 吴奇;刘贤 - 湖北师范大学
  • 2019-08-06 - 2019-09-27 - C30B7/10
  • 一种非线性光学晶体及其制备方法和应用,化学式为BiI3·H2O,分子量为608,属正交晶系,空间群为Ama2,单胞参数为:a=8.6301(13)Å,b=9.3481(13)Å,c=11.4923(17)Å,α=β=γ=90°,Z=4;制备时,将摩尔比为1:3:1的KI、RbI和BiI3加至12‑20mL的蒸馏水中,置于聚四氟乙烯材料的反应釜中通过水热法在160‑180℃下反应3天,再在室温下降温1天,将得到的滤液在常温下挥发,一个月后得到块状的红色晶体,即得;本发明的BiI3·H2O具有很强的可相位匹配的二阶非线性光学效应、其合成方法操作简单、条件温和等优点,可广泛应用于光学等领域。
  • 一种低容重的硫酸钙晶须的制备方法-201710571298.5
  • 杨柳春;林奕文;丁润梅;吴阳;杨蓉 - 湘潭大学
  • 2017-07-13 - 2019-09-17 - C30B7/10
  • 本发明公开了一种低容重的硫酸钙晶须的制备方法。本发明方法主要是:制备固含率不超过30%的前驱体悬浮液;将前驱体悬浮液pH值调节至3~6.5,并加入活化剂,在60~80℃条件下搅拌活化20~60min;将预活化后的悬浮液注入到反应釜中,加入结构模板剂,并在130~250℃下反应0.5~8h,直到转化完全;将水热反应完成后的悬浮液进行固液分离,并对固相产物用不低于70℃的热水进行洗涤;将分离和洗涤后的固相产物在60‑200℃条件下干燥0.5~5h,即得产品。本发明制出的硫酸钙晶须结构新颖,具有较大的内外表面积和较低的容重,在载体、填料或吸附净化领域具有良好的应用前景;所提出的制备方法简捷高效,原料广泛,成本较低。
  • 简易制备易氧化金属有机骨架材料的方法及弹性性能研究方法-201910376929.7
  • 张志英;程东鹏;唐浩;沈欣;余洪良 - 武汉理工大学
  • 2019-05-07 - 2019-08-30 - C30B7/10
  • 本发明公开了简易制备大晶体的易氧化金属有机骨架材料[(CH3)2NH2][Fe(HCOO)3]的方法。包括以下步骤:1)提供氯化亚铁的二甲基甲酰胺水溶液,将制备好的溶液转移至高压反应釜中,密闭完全,在130‑150℃的环境中保48‑72小时;2)恒定速率降温至室温,从反应釜中取出上层清液,放入塑料容器中,然后用均匀分布有孔的封口膜覆盖,惰性气体保护下,静置3‑7天,然后处理收集晶体。本发明提供的制备大晶体的易氧化金属有机骨架材料[(CH3)2NH2][Fe(HCOO)3]的方法制备方法工艺稳定,价格低廉,操作方便简单,是制备大晶体[(CH3)2NH2][Fe(HCOO)3]材料的理想方案。
  • 一种纯相二硅酸锂棒状晶制备方法-201910276352.2
  • 郭生武 - 西安交通大学
  • 2019-04-08 - 2019-08-02 - C30B7/10
  • 本发明公开了一种纯相二硅酸锂棒状晶制备方法,将LiOH·H2O溶解于蒸馏水后滴加正硅酸四乙酯混合均匀得到混合溶液,将混合溶液放到水热反应内胆中反应得到白色沉淀,对白色沉淀进行抽滤得到滤饼,再次经干燥处理得到白色粉体并研磨,经热处理后得到纯相二硅酸锂棒状晶。本发明操作简单,设备要求低,原料价格低廉,参数范围较广且易于控制,产率高,所得棒状晶尺寸可调,材料结构强度高,适合大规模商业推广。
  • 一种单晶钛酸铅薄膜的制备方法-201910234845.X
  • 任召辉;武梦姣;陈嘉璐;韩高荣 - 浙江大学
  • 2019-03-26 - 2019-05-31 - C30B7/10
  • 本发明公开了一种单晶钛酸铅(PbTiO3)薄膜的制备方法。该方法是以硝酸铅(Pb(NO3)2)和钛酸四正丁酯(TBOT)作为主要原料,氢氧化钾(KOH)作为矿化剂,通过调配各项原料物质的量,采用水热法实现了单晶PbTiO3薄膜的合成。本发明工艺简单,易于控制,成本低,适合大规模生产。获得的外延复合薄膜表面完整连续,界面处平整,且PbTiO3薄膜的厚度可控。这种高质量的钛酸铅薄膜有望在铁电存储器,热释电传感器和通讯领域有广泛的应用前景。
  • 一种利用废硼酸生产硼酸铝晶须的方法-201711074298.0
  • 罗丽斌 - 罗丽斌
  • 2017-11-05 - 2019-05-14 - C30B7/10
  • 本发明涉及一种利用L‑抗坏血酸棕榈酸酯中的废硼酸生产硼酸铝晶须的方法,包括使废硼酸经活性炭脱色处理后与氢氧化铝反应生成二水硼酸铝,再将二水硼酸制备成悬浮液加入加压反应釜中以制备半水硼酸铝晶须。本发明的方法绿色环保,无污染,由于利用废硼酸做原料,有效解决了废硼酸污染问题,极大地降低了生产成本,并且工艺操作简单,适合工业化生产。
  • 一种利用天然石膏制备硫酸钙晶须的方法-201710996306.0
  • 钟跃先 - 钟跃先
  • 2017-10-24 - 2019-04-30 - C30B7/10
  • 一种利用天然石膏制备硫酸钙晶须的方法,首先采用化学方法对天然石膏进行净化处理和提纯,将天然石膏与碳酸氢铵、氨水进行复分解反应得到硫酸铵和碳酸钙,经固液分离后得到硫酸铵溶液和粗品碳酸钙,用盐酸处理副产的粗品碳酸钙得到氯化钙溶液并去除杂质,将氯化钙与硫酸铵反应得到纯硫酸钙;然后将提纯得到的硫酸钙采用水热法制备硫酸钙晶须;该制备硫酸钙晶须的方法利用丰富的天然石膏资源和廉价的化工原料得到高附加值的化工产品硫酸钙晶须及副产品氯化铵、二氧化碳,使原料得到了充分利用,降低生产成本,生产过程清洁环保,具有较强的推广与应用价值。
  • 一种不锈钢表面氧化锌纳米棒阵列的制备方法-201610503250.6
  • 詹玮婷;倪红卫;陈荣生;刘伟;唐书杰 - 武汉科技大学
  • 2016-06-30 - 2019-03-19 - C30B7/10
  • 本发明涉及一种不锈钢表面氧化锌纳米棒阵列的制备方法。其技术方案是:先将不锈钢先后在无水乙醇和蒸馏水中超声清洗,吹干,浸入混合溶液中,在微波炉辐照1~5次,每次辐照的时间为0.5~10min,每次辐照的间隔时间为5~10s,即得不锈钢表面氧化锌纳米棒阵列。所述混合溶液为锌离子溶液、氨离子溶液和氧化石墨烯溶液的混合溶液,其中:锌离子溶液浓度为0.001~0.1mol/L,氨离子溶液的浓度为0.001~0.1mol/L,氧化石墨烯的浓度为0.01~2g/L。本发明工艺简单、快速、环境友好和成本低廉;所制备的不锈钢表面氧化锌纳米棒阵列的光催化和光电化学性能优良,纳米结构的形貌和微观结构可控、与基材结合牢固、耐腐蚀性强和硬度高。
  • 一种利用工业副产物氯化钙制备高纯二水石膏晶须的方法-201610203228.X
  • 马保国;卢文达;苏英;李玉博;贺行洋;高超;李显良;金子豪 - 武汉理工大学
  • 2016-03-31 - 2019-01-22 - C30B7/10
  • 本发明涉及一种利用工业副产物氯化钙制备高纯二水石膏晶须的方法,包括以下步骤:1)将“氨碱法”工业副产物氯化钙浆体配制为氯化钙溶液,加热至30‑80℃,再加入成核促进剂、晶型控制剂,制得反应母液;2)向反应母液中加入40‑60℃的硫酸钠溶液,搅拌反应30‑40min后保温0.5‑3h,得到二水石膏晶须料浆,再经后处理得到高纯二水石膏晶须。本发明以盐化工生产过程的过剩副产物为原料,制备出了长径比10‑100、晶体长度50‑500μm、纯度98%以上、白度90以上的二水石膏晶须,为氯化钙浆体副产物提供了高附加值利用方案,所得石膏晶须可广泛应用于造纸、化工、新型建材、复合材料等领域。
  • 化合物钾硼碳氧氯氢和钾硼碳氧氯氢非线性光学晶体及制备方法和用途-201811105727.0
  • 潘世烈;张雪艳;吴红萍 - 中国科学院新疆理化技术研究所
  • 2018-09-21 - 2019-01-01 - C30B7/10
  • 本发明涉及一种化合物钾硼碳氧氯氢和钾硼碳氧氯氢非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物化学式为K9[B4O5(OH)4]3(CO3)Cl·7H2O,分子量为1147.16,采用水热法制备,所得产物直接为晶体;该晶体的分子式为K9[B4O5(OH)4]3(CO3)Cl·7H2O,分子量为1147.16,属于三方晶系,空间群为P 2c,采用水热法即得到钾硼碳氧氯氢非线性光学晶该晶体生长过程具有操作简单,成本低,所用的试剂为无机原料,毒性低,生长周期短,物化性质稳定等优点。通过本发明所述方法获得的钾硼碳氧氯氢非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。
  • 一种利用低品位硅灰石制备硫酸钙晶须和硅溶胶的方法-201810263200.4
  • 黄海桥;黄飞;徐康 - 黄石海纳新材料科技有限公司
  • 2018-03-28 - 2018-08-17 - C30B7/10
  • 本发明提供一种利用低品位硅灰石制备硫酸钙晶须和硅溶胶的方法,包括如下步骤:粉碎:将沉降值小于60的低品位硅灰石矿粉碎成硅灰石粉,并测定硅灰石粉中CaO的含量;水热反应:将硅灰石粉和水加入反应釜中,当搅拌转速稳定后加入硫酸,搅拌均匀,加入硫酸钾反应75min,停止搅拌,过滤,得到二水硫酸钙晶须和硅酸溶液;硫酸钙晶须的制取:将二水硫酸钙晶须进行干燥,即得无水硫酸钙晶须;硅溶胶的制取:将硅酸溶液经过净化,调节pH值,浓缩使溶液密度达到1.12g/cm3,即得硅溶胶。本发明以低品位硅灰石为原料,通过低温水热反应制备硫酸钙晶须和硅溶胶,能大大提高其附加价值,拓展其应用市场,且方法简单、易于操作。
  • 一种单斜相BiVO4/GO/RGO晶体及其制备方法-201610261083.9
  • 谈国强;赵程程;夏傲;任慧君 - 陕西科技大学
  • 2016-04-25 - 2018-08-17 - C30B7/10
  • 本发明公开了一种单斜相BiVO4/GO/RGO晶体及其制备方法,以Bi(NO3)3·5H2O为Bi源,向其中依次加入油酸、正庚烷、丙酮,在低温下搅拌6‑10h,合成纤维状Bi2O3模板。将制好的Bi2O3模板和NH4VO3分别溶于乙醇和水溶液中,溶解后混合,再加入分散好的GO悬浊液,形成前驱液,将前驱液在180℃水热反应制得BiVO4/GO/RGO晶体。其中BiVO4为单斜相,空间结构群为I2/a(15),随着水热时间的延长,晶体发育越完整,具有越良好的结构稳定性。在水热反应过程中GO被部分还原,并且随着时间的延长,GO被还原的程度越大。该方法操作简单,工艺稳定,是一种成熟可行的制备方法。
  • 能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底及其制备方法及应用-201610353241.3
  • 赵川德;范桂娟;王晓川;于谦 - 中国工程物理研究院化工材料研究所
  • 2016-05-25 - 2018-08-14 - C30B7/10
  • 本发明公开了一种能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底及其制备方法及应用,所述的制备方法包括以下步骤:利用水热法在无机基底表面生长ZnO纳米棒阵列,得到ZnO纳米棒阵列衬底;采用离子溅射将金或银沉积在ZnO纳米棒阵列衬底表面,得到贵金属纳米颗粒掺杂ZnO纳米棒衬底;在上述的贵金属纳米颗粒掺杂ZnO纳米棒衬底的表面自组装聚多巴胺,得到所述的能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底。本发明中的衬底可有效增强芴类共轭聚合物的发射强度,使得聚芴膜在检测芳烃类爆炸物时具有更高的灵敏度和更好的重现性。
  • 闭系耐酸耐压加热反应体系制备纳米石英多孔晶须工艺-201510410789.2
  • 王平;匡猛;余昌强;欧阳鹿;彭虎;罗斌 - 江西理工大学
  • 2015-07-14 - 2018-07-13 - C30B7/10
  • 本发明涉及一种闭系耐酸耐压加热反应体系制备纳米石英多孔晶须工艺,属于纳米石英多孔晶须制备技术领域。本发明以纯坡缕石、海泡石、凹凸棒石一族矿物为前驱体,分散造粒后,在闭系耐酸耐压加热反应体系中,无机酸被加热到150℃以上,反应2小时以上,冷却后除去杂质,得到纳米石英多孔晶须,SiO2含量大于98%,Al2O3含量低于1%;Fe3+含量低于0.5%。晶须直径约20nm,长径比大于15。纳米石英多孔晶须可以增强复合材料,广泛应用于塑料、橡胶、纤维、陶瓷行业等。
  • 高分子材料填充剂硫酸钙晶须的生产装置-201711231716.2
  • 彭飞 - 成都蒙特斯科技有限公司
  • 2017-11-30 - 2018-07-03 - C30B7/10
  • 高分子材料填充剂硫酸钙晶须的生产装置,主要包括:反应釜(D101)、输送泵(J101)、输送泵(J102)、结晶罐(F101)、过滤器(L101),生产装置各个组成部分之间的连接关系为:反应釜(D101)与输送泵(J101)相连接,输送泵(J101)与结晶罐(F101)相连接,结晶罐(F101)与输送泵(J102)相连接,输送泵(J102)与过滤器(L101)相连接,其中,反应釜(D101)公称容积230‑250L。
  • 一种介孔单晶氧化铁的制备方法及其光电化学分解水装置-201510770624.6
  • 杨化桂;王重午;房文祺;李宇航;王雪璐 - 华东理工大学
  • 2015-11-12 - 2018-06-19 - C30B7/10
  • 本发明涉及一种介孔单晶氧化铁的制备方法及其光电化学分解水装置,该介孔单晶氧化钛具有高比表面积,利用在氧化铁水热合成过程中加入氧化硅球作为硬模板剂,反应完成后通过蚀刻去除硅球。该方法操作简便,工艺设备简单,原料易得,制备成本较低,反应周期短,可重复性高。合成的氧化铁单晶颗粒大小约为800纳米,表面粗糙呈现多孔结构。这种介孔结构的单晶颗粒在环境科学以及太阳能转换领域有着非常重要的用途。 1
  • 深紫外区的非线性光学氟硼磷酸钾晶体及制备方法与应用-201610591746.3
  • 宓锦校;姜霁虹 - 厦门大学
  • 2016-07-26 - 2018-04-10 - C30B7/10
  • 深紫外区的非线性光学氟硼磷酸钾晶体及制备方法与应用,涉及非线性光学晶体。所述晶体的化学式为KBPO4F,空间群为Cc,晶胞参数为β=90.44(4)°、晶胞体积为Z=4、其分子量为Mr=163.88。制备方法将钾源、氟源、稀土氧化物、硼源和磷源置于水热反应釜或其它坩埚容器中;将水热反应釜放入烘箱内恒温,或将坩埚容器置于电炉内恒温,然后冷却至室温,洗净,即得。所述晶体可在制备深紫外区的倍频转换的非线性光学器件中应用。
  • 水合硼酸钾和水合硼酸钾非线性光学晶体及制备方法和用途-201610677651.3
  • 潘世烈;刘琼;张香玉;杨志华;龙西法 - 中国科学院新疆理化技术研究所
  • 2016-08-17 - 2018-03-06 - C30B7/10
  • 本发明涉及水合硼酸钾和水合硼酸钾非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为K3B3O4(OH)4·2H2O,分子量为317.79,该化合物为透明的晶体,水合硼酸钾非线性光学晶体,该晶体的化学式为K3B3O4(OH)4·2H2O,分子量为317.79,属于正交晶系,属于空间群Cmc21,单胞参数为a=13.806Å,b=7.910Å,c=9.093Å,Z=4,采用水热法,得到生长良好,透明的K3B3O4(OH)4·2H2O非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应约为KDP晶体的4/5倍,紫外吸收截止边在190nm以下,在紫外和可见光区有宽的透过范围。该晶体生长过程具有操作简单,成本低,所用的毒性小,生长周期短,物化性质稳定等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
  • 一种利用低品位天然石膏或石膏尾矿制备硫酸钙晶须的方法-201410781650.4
  • 袁绪川;王敏;王怀有;周育华;赵强;赵有璟 - 青海博川矿业开发有限公司;中国科学院青海盐湖研究所
  • 2014-12-16 - 2018-02-27 - C30B7/10
  • 本发明涉及一种利用低品位天然石膏或石膏尾矿制备硫酸钙晶须的方法。本发明首先采用重结晶法对低品位天然石膏或其尾矿进行纯化和提纯,将低品位石膏或石膏尾矿进行破碎、筛分,然后将其加入到特定溶度的酸中,加热到一定温度使其全部溶解,趁热进行固液分离除去未溶解固相杂质,将液相于较低温度下冷却重结晶、固液分离,将滤饼水洗、烘干,得到高纯石膏。然后将高纯石膏配成一定浓度的悬浮液,加入一定量的晶形助长剂,在水热条件合成高长径比的硫酸钙晶须。该工艺利用丰富、廉价的低品位天然石膏或其尾矿得到高附加值的化工产品硫酸钙晶须,有效地降低了生产成本,生产过程清洁环保,具有较强的推广与应用价值。
  • 碱式硫酸镁晶须的制备方法-201510412074.0
  • 李武;党力;乃学瑛;董亚萍 - 中国科学院青海盐湖研究所
  • 2015-07-14 - 2018-01-16 - C30B7/10
  • 本发明属于无机材料制备技术领域,尤其公开了一种碱式硫酸镁晶须的制备方法,包括步骤A、将泻利盐置于水中,形成硫酸镁水溶液,在搅拌下向其中加入碱溶液,形成浆料;B、向浆料中加入晶种;C、将具有晶种的浆料移至微波反应釜中,进行微波反应30min~90min,得到悬浊液;其中,所述微波反应釜的设置温度为140℃~180℃;D、将悬浊液经固液分离,得到滤饼和滤液,滤饼经洗涤、干燥得到碱式硫酸镁晶须。根据本发明的碱式硫酸镁晶须的制备方法,具有合成速度快、无温度梯度、无滞后效应等优点,同时大大缩短了反应时间,降低能耗;另外,还能够使碱式硫酸镁晶须的形貌更为均匀,避免出现扇形等不均匀形貌。
  • 无水硫酸钙晶须的制备方法-201510309296.X
  • 乃学瑛;吕智慧;董亚萍;李武 - 中国科学院青海盐湖研究所
  • 2015-06-08 - 2018-01-09 - C30B7/10
  • 本发明属于晶须制备技术领域,尤其涉及一种一步水热法制备无水硫酸钙晶须的方法,包括步骤A、将生石膏置于水中,配制成第一悬浊液,在搅拌下向其中加入晶形控制剂,形成浆料;其中,水与生石膏的液固质量比为5.5~301;晶形控制剂与生石膏的摩尔比为0.7~51;B、将浆料转移至水热反应釜中,在搅拌下水热反应2h~10h,得到第二悬浊液;其中,水热反应釜的设置温度为170℃~220℃;C、将第二悬浊液固液分离,获得滤饼和滤液,滤饼经洗涤、烘干得到无水硫酸钙晶须。该制备方法采用一步水热法即可制备得到无水硫酸钙晶须,方法简单;同时,不仅避免了纯度不高的问题,还避免使用高温灼烧的方法,降低了生产成本。
  • 水热法氧化锌单晶材料合成装置及合成方法-201610137960.1
  • 谷保祥;王喜英;刘碧波;曹志林;张继伟 - 河南工程学院
  • 2016-03-10 - 2017-11-24 - C30B7/10
  • 本发明涉及水热法氧化锌单晶材料合成装置及合成方法,可有效解决用水热法合成单晶过程中系统因素调节困难,无法合成出大块体单晶的问题,技术方案是,包括调节罐、连通管和反应罐,调节罐的内腔经连通管与反应罐的内腔相连通,调节罐与反应罐的结构相同,均为密闭的中空结构,二者的内腔均设置由耐热耐化学腐蚀材料制成的罐体内衬,连通管的内侧设置有由耐热耐化学腐蚀材料制成的管体内衬,本发明方法新颖独特,简单合理,具备合成多种无机物晶体的作用,对科研、医药有着重要意义,本发明装置简单、易操作,效果好,是晶体的水热法制备上的技术创新。
  • 一种花状羟基磷灰石晶须的制备方法-201510490381.0
  • 刘毅;张彪;张利锋;郑鹏;原晓艳;郭守武 - 陕西科技大学
  • 2015-08-11 - 2017-11-24 - C30B7/10
  • 一种花状羟基磷灰石晶须的制备方法,采用碳酸钙和磷酸作为原料,控制磷酸与碳酸钙的质量比大于31,将轻质碳酸钙置于调节过pH值的磷酸溶液中,进行搅拌,得到前驱体将前驱体放置于水热反应釜中进行水热反应,反应结束后冷却至室温,取出所得产物,依次进行三次水洗、三次醇洗,离心分离去除反应残余物和杂质,将所得产物放入恒温干燥箱中干燥后,即可得到花状羟基磷灰石晶须,所制备的羟基磷灰石花状晶须长径比可控,且形貌均匀、断裂韧性明显提高,具有成本低、产率高、工艺简单、可重复操作性强的特点。
  • 一种四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶及其制备方法-201510459414.5
  • 任慧君;赵程程;谈国强;王勇;许驰;夏傲 - 陕西科技大学
  • 2015-07-30 - 2017-10-24 - C30B7/10
  • 本发明提供了一种四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶及其制备方法,将铋盐溶液和钒盐溶液按11的摩尔比混合,然后加入NaOH溶液,在室温下搅拌反应释放出氨气,得到前驱液,再加水定容前驱液,最后使前驱液进行水热反应,反应完后将反应产物洗涤、干燥,即得到四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶。本发明通过控制NaOH溶液的加入量达到了控制产物形貌的目的,制得了沿(111)晶面取向生长的纯立方相的四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶,具有良好的离子电导、空穴传导以及光氧化反应的潜力,该方法具有反应时间短、流程少、操作工艺简单、反应条件温和、成本较低、环境友好等优点。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top