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[发明专利]一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法-CN202210151701.X有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法，属于晶体生长技术领域。一种晶体生长气泡消除装置，包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在晶体生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转。本发明在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。
一种晶体生长气泡消除装置方法

[发明专利]一种mPhDMADPbI4-CN202310527381.8在审
发明人：胡伟;李小燕 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶及其制备方法，所述制备方法采用水溶液法与变速率梯度降温复合法，具体包括以下步骤：(1)mPhDMADPbI4前驱体溶液的制备：分别取一定量的mPhDMADI2和PbI2，置于玻璃瓶中，然后移取HI和H3PO2置于所述玻璃瓶中；(2)mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶的制备：将所述玻璃瓶放置在加热台上，加热至充分溶解，然后以变速率梯度降温法待晶体析出，得到mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶。根据本发明提供的制备方法避免了制备过程转化不完全的问题，能够高效率制备高质量的DJ相二维钙钛矿mPhDMADPbI4单晶材料，本发明首次生长出基于mPhDMADI2的DJ相二维钙钛矿单晶，提高晶体生长的纯度。
一种 mphdmadpbi base sub

[发明专利]一种卤素钙钛矿单晶材料及其制备方法和应用-CN202310568273.5在审
发明人：张伟;张帅;邹政;肖梓杰 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种卤素钙钛矿单晶材料及其制备方法和应用。本发明的卤素钙钛矿单晶材料的制备方法，包括如下步骤：S1：将卤素盐溶解在溶剂中，加热，随后降温结晶，在溶液中生长出小块的FAPbBr(3‑X)I(X)单晶，X＝0‑2；S2：从溶液中取出FAPbBr(3‑X)I(X)单晶，随后对溶液进行过滤，向过滤后的溶液中加入1‑2颗FAPbBr(3‑X)I(X)单晶，培养至单晶生长为预设尺寸，取出，制得卤素钙钛矿单晶材料。本发明的卤素钙钛矿单晶材料单晶尺寸大、单晶质量好、发光强度高，具有较强的实际应用价值。
一种卤素钙钛矿单晶材料及其制备方法应用

[发明专利]晶体生长装置及方法、KDP类晶体-CN202210852244.7有效
发明人：周成;何亮;李建敏;毛伟;张存新;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;甘胜泉;熊仁根 -专利权人：江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体生长装置和方法、KDP类晶体，晶体生长装置包括保温箱、第一水槽、第二水槽、生长室；保温箱限定出容纳腔；第一水槽、第二水槽和生长室设置在容纳腔中，第一水槽全部或部分包围在生长室的侧面；第二水槽设置在生长室的底部；第一水槽和第二水槽设置有进水口和出水口；生长室的上端面或生长室和第一水槽的上端面设置保温盖。本发明通过对双水槽的控温方式，使得整体温度控制的更加平稳，降低晶体过程中缺陷产生，提高了晶体质量。
晶体生长装置方法 kdp 晶体

[发明专利]RbCu2-CN202210435872.5有效
发明人：郑伟;丁莹;林日成;林卓耿;黄丰 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明涉及晶体化学技术领域，具体涉及RbCu2Br3单晶的合成与应用，包括以下步骤：S1.将RbBr和CuBr按照摩尔比为1:2混合溶于体积比为1～3:1的HBr酸和去离子水中；形成RbBr的浓度为0.5～2mmol/mL；S2.向步骤S1的混合溶液中加入次磷酸，在95～105℃条件下保温1～3h；S3.将步骤S2的混合溶液，以0.5～3℃/h的降温速率降温至室温，结晶；S4.将步骤S3形成的晶体烘干，即得。本发明随温度下降光致发光从蓝光向橙光转变，并且长时间大剂量辐照和高电场强度工作下，探测器性能稳定。因此，RbCu2Br3材料在闪烁体领域、光电探测器及X射线探测领域有所作为。
rbcu base sub

[发明专利]一种卤化物钙钛矿薄单晶的生长方法-CN202310259906.4在审
发明人：杨化桂;刘达;侯宇;杨双 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种卤化物钙钛矿薄单晶的生长方法。包含以下步骤：(1)将金属卤化物钙钛矿薄单晶原料溶于溶剂中，配成前驱体溶液；(2)将钙钛矿前驱体滴在疏水化的基板上，然后覆盖另一块疏水化的基板，通过调整基板间的距离来获得厚度可调的钙钛矿薄单晶；(3)加热，生长一段时间以后，冷却，分离，擦干，最终获得钙钛矿薄单晶。本发明生长方法可以实现多种基底与钙钛矿薄单晶的直接集成，同时厚度可调。
一种卤化物钙钛矿薄单晶生长方法

[发明专利]KDP类晶体籽晶螺旋式生长方法-CN202310099580.3在审
发明人：陶光辉;王斌;齐红基;邵建达;陈端阳;陈征民 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：一种KDP类晶体籽晶制作和点晶方式，本发明提供的方法中，籽晶的下端连接有带螺纹的圆柱，能与晶盘的凹槽相连接，起到固定的作用，上端安装小型磁铁，在点晶时可以与点晶圆杆内的磁铁相吸。由于籽晶是后放入溶液中的，改变了先前的预置式点晶方式，即在溶液转移入生长槽前，先将籽晶安放在晶盘上，并覆盖一层保护膜，保护籽晶在溶液过热过程中不被溶解。用本发明提出的籽晶制作和点晶方式规避了因籽晶提前放入溶液中而引入的外来物，可能对生长溶液产生污染的隐患，并且籽晶和晶盘连接稳定，不易产生晃动，降低了杂晶产生的风险。
kdp 晶体籽晶螺旋式生长方法

[发明专利]一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶的制备方法和应用-CN202210295988.3有效
发明人：李林;邵琪 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶的制备方法和应用，它涉及一种无铅双钙钛矿单晶的制备方法和应用。本发明的目的是要解决含有铅离子的有机‑无机杂化钙钛矿的有毒性和材料较差的稳定性限制了其在实际应用中的发展和现有制备的探测器上无法同时适用于可见光探测和X射线探测的模式的问题。方法：一、制备钙钛矿前驱体溶液；二、单晶生长；三、退火。一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶用于制备平面型光电探测器。一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶用于制备X射线探测器。本发明可获得一种基于可调谐的掺杂无铅双钙钛矿单晶。
一种基于调谐掺杂无铅双钙钛矿单晶制备方法应用

[发明专利]一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用-CN202310100468.7在审
发明人：李自清;洪恩柳;方晓生;苏莉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-02-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横纵比低和无法用于平面光电器件的问题，制备工艺简单、效率高；获得的单晶具有高品质、高横纵比等特点，在室温下发射对称的荧光峰，具有优异光电性能；可广泛用于光电探测领域。
一种片状维度钙钛矿单晶及其制备方法应用

[发明专利]一种大尺寸三硫脲硫酸根合锌晶体的制备方法及装置-CN202211683707.8在审
发明人：禹化健;刘冰;杨玉国;邱程程;张园园;王旭平 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明属于新型金属有机配合物晶体材料的生长制备技术领域，尤其涉及一种大尺寸三硫脲硫酸根合锌晶体的制备方法及装置。晶体生长包括如下步骤：S1、生长液制备；S2、晶体生长；S3、晶体制备完成；生长装置包括：生长瓶，用于盛放三硫脲硫酸根合锌晶体的生长溶液；补料瓶，与所述生长瓶的上、下均连通，用于盛放三硫脲硫酸根合锌晶体的待补充生长溶液，所述待补充生长溶液对所述生长瓶的所述生长溶液进行补充；本发明通使晶体的尺寸达到8厘米级别，显著提高了该晶体的制备尺寸，突破了该晶体目前的尺寸限制，同时缩短了该晶体的生长时间，达到18天即可完成制备，为该晶体的大尺寸样品加工与器件应用提供了保障。
一种尺寸硫脲硫酸根合锌晶体制备方法装置

[发明专利]一种大尺寸联苄基有机闪烁体单晶的制备方法及制得的单晶-CN202211234173.0在审
发明人：罗轩;蒋中柱;陶兴东;唐琦;王峰;王维;王田阳;宋文海;孙玉平 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院;中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种大尺寸联苄基有机闪烁体单晶的制备方法，涉及有机闪烁体技术领域，包括以下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将联苄倒入丙酮中，溶解后加热搅拌至溶剂蒸发，得到结晶；(2)将步骤(1)中的结晶与有机溶剂混合，溶解后加入反‑1,2‑二苯乙烯。(3)逐步降温，用悬晶法观察找到当前配比的饱和温度点；(4)接着采用籽晶法进行晶体生长；(5)在饱和点以下，雪崩点以上进行晶体的生长，结晶架设置低转速正逆交替旋转，待溶质消耗完毕后，得到晶体。本发明的有益效果在于：采用本发明中方法容易获得大尺寸，质量较好的有机闪烁体单晶，并且设备简单，温度要求低，容易观察，可以进行大批量生长。
一种尺寸苄基有机闪烁体单晶制备方法

[发明专利](4-AMP)BiBr5-CN202211111873.0在审
发明人：唐江;牛广达;谢作想;尹航 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本申请提供一种(4‑AMP)BiBr5单晶的制备方法，包括如下步骤：提供氢溴酸溶液；向所述氢溴酸溶液中以1：1的摩尔比加入(4‑AMP)Br2和BiBr3，第一预定温度下使(4‑AMP)Br2和BiBr3完全溶解，得到待结晶溶液；将所述待结晶溶液以预定冷却速率降温至第二预定温度，以使得(4‑AMP)BiBr5单晶从所述待结晶溶液中析出；收集(4‑AMP)BiBr5单晶。本申请可通过较简单的步骤得到高纯度、结构规整的(4‑AMP)BiBr5单晶。
amp bibr base sub

[实用新型]一种晶体生长状态观察装置-CN202223261895.3有效
发明人：左洪波;杨鑫宏;阎哲华;吴岩 -专利权人：哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本实用新型一种晶体生长状态观察装置涉及晶体生长状态的观察装置技术领域；包括结晶生长器皿，所述结晶生长器皿的内部盛装有溶液和结晶核，所述结晶生长器皿的壁面上安装有蒸汽清理机构，将内夹板的周边设置成流线型斜面，当结晶生长器皿中溶液和晶核实现晶核生长的过程中，蒸汽覆盖在结晶生长器皿内壁不方便观察的时候，缓慢的推动外夹板，使内夹板沿结晶生长器皿的内壁移动进行擦拭，从而使结晶生长器皿内壁上的蒸汽被清理，从而方便人员对晶体生长的状态进行观察，且因为推动的时候速度缓慢，且内夹板的边缘为流畅的斜面，因此，擦拭的过程不会产生气泡对晶体生长造成影响，达到了方便观察晶体生长状态且不会额外产生气泡的效果。
一种晶体生长状态观察装置

[实用新型]晶体生长载晶架-CN202222391091.9有效
发明人：叶李旺;庄欣欣;许智煌;王远洁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长载晶架，包括上板、下板、支撑板以及与外部动力机构连接并带动晶体生长载晶架转动的连接结构；支撑板设置在上板与下板之间，下板的上表面设置有沟槽结构。本实用新型通过在晶体生长载晶架的下板上表面设置沟槽结构，晶体生长到沟槽结构处时既沿水平方向生长，同时也向下生长，向下生长出的晶体会逐渐填满沟槽结构空间，沟槽结构内的晶体起到止动防滑的作用。即使在周期性正反转运动下，生长的晶体也不会与晶体生长载晶架分离发生移动，较好地解决了晶体移动造成载晶架防腐膜被破坏、生长溶液被污染和晶体生长试验失败的问题，降低了晶体生长成本，提高了晶体生长成功率。
晶体生长载晶架

[实用新型]KDP类晶体生长载晶架及KDP类晶体-CN202221762023.2有效
发明人：叶李旺;庄欣欣;许智煌;王远洁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种KDP类晶体生长载晶架及KDP类晶体，包括：相对平行设置的上板和下板，形成非封闭空间；两个支撑块，分别设置在上板与下板之间的两端位置处且互相平行，两个支撑块的上端与上板固定连接，下端与下板固定连接，配置为用于支撑、连接上板和下板；上板、支撑块和下板包绕成一个直平行六面体空腔结构。本实用新型提供的KDP类晶体生长载晶架具有直平行六面体空腔结构，可根据光学元件的切割角来设计直平行六面体空腔结构夹角，直平行六面体空腔结构的上下平面限制了晶体的锥面生长，左右侧面限制了晶体柱面生长空间，生长出的晶体外形为直平行六面体，非常接近光学元件外形，切割时可减少晶体材料损耗，提高晶体利用率。
kdp 晶体生长载晶架晶体

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