[发明专利]半导体元件与其制造方法

摘要

本发明揭露一种半导体元件与其制造方法。半导体元件的制造方法包含以下步骤。首先，形成磊晶层于基板上，再形成沟渠于磊晶层中。接着，形成第一介电层与屏蔽层于沟渠中，其中第一介电层包覆屏蔽层。然后，形成间隔层于沟渠中且位于第一介电层上。最后，形成第二介电层与栅极于沟渠中且位于间隔层上，并形成源极于位于沟渠的四周的磊晶层中，其中第二介电层包覆栅极，且源极环绕栅极。通过前述的制造方法，半导体元件具有适当的结构设计，使半导体元件具有较高的崩溃电压与较低的导通电阻。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：形成一磊晶层于一基板上；形成一沟渠于该磊晶层中；形成一第一介电层与一屏蔽层于该沟渠中，其中该第一介电层包覆该屏蔽层；形成一间隔层于该沟渠中，且该间隔层位于该第一介电层上方，且该间隔层接触到该磊晶层；以及形成一第二介电层与一栅极于该沟渠中且位于该间隔层上，并形成一源极于位于该沟渠的四周的该磊晶层中，其中该第二介电层包覆该栅极，且该源极环绕该栅极。