[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201410708259.1 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN105097026B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 金珉秀 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括分别对应于第一存储体和第二存储体的第一页缓冲器块和第二页缓冲器块；输入/输出控制电路，其适于传送输入数据至数据线；第一列解码器和第二列解码器，其适于基于通过由第一列解码器和第二列解码器共享的地址线传送的列地址，将通过数据线传送的输入数据分别锁存至第一页缓冲器块和第二页缓冲器块；以及控制信号发生电路，其适于产生控制第一列解码器和第二列解码器的多个页缓冲器选择信号以选择性地对第一页缓冲器块和第二页缓冲器块执行数据锁存操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：第一页缓冲器块和第二页缓冲器块，其分别对应于第一存储体和第二存储体；输入/输出控制电路，其适于将输入数据传送至数据线；第一列解码器和第二列解码器，其适于基于通过地址线传送的列地址和由所述第一列解码器和所述第二列解码器共享的多个页缓冲器选择信号，将通过所述数据线传送的所述输入数据分别锁存至所述第一页缓冲器块和所述第二页缓冲器块；以及控制信号发生电路，其适于产生多个页缓冲器选择信号。
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