[发明专利]半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 201410708259.1 申请日: 2014-11-28
公开(公告)号: CN105097026B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 金珉秀 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【说明书】:

一种半导体存储器件包括分别对应于第一存储体和第二存储体的第一页缓冲器块和第二页缓冲器块;输入/输出控制电路,其适于传送输入数据至数据线;第一列解码器和第二列解码器,其适于基于通过由第一列解码器和第二列解码器共享的地址线传送的列地址,将通过数据线传送的输入数据分别锁存至第一页缓冲器块和第二页缓冲器块;以及控制信号发生电路,其适于产生控制第一列解码器和第二列解码器的多个页缓冲器选择信号以选择性地对第一页缓冲器块和第二页缓冲器块执行数据锁存操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年5月14日提交的申请号为10-2014-0057999的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例总体而言涉及一种电子器件,且更具体而言,涉及一种半导体存储器件。

背景技术

半导体存储器件被划分成易失性存储器件和非易失性存储器件。

易失性存储器件以高的写入速度和读取速度进行操作,但是当断电时它们丢失储存的数据。因而,非易失性存储器件用来保持数据,而与加电/断电条件无关。非易失性存储器的实例包括:只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、阻变RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。快闪存储器被分类成或非(NOR)型或与非(NAND)型。

快闪存储器具有RAM和ROM这二者的优点。例如,快闪存储器可以与RAM类似被随意地编程和擦除,并且与ROM类似,快闪存储器即使当不被供电时也可以保持储存的数据。快闪存储器已经广泛地用作诸如数码照相机、个人数字助理(PDA)和MP3播放器之类的便携式电子设备的储存媒介。

发明内容

本发明的各种实施例针对一种半导体存储器件,其能够通过减小半导体存储器件的数据输入电路的尺寸来实现更高的集成度并且降低功耗。

根据本发明的一个实施例,一种半导体存储器件可以包括分别对应于第一存储体和第二存储体的第一页缓冲器块和第二缓冲器块;输入/输出控制电路,其适于将输入数据传送至数据线;第一列解码器和第二列解码器,其适于基于通过由第一列解码器和第二列解码器共享的地址线传送的列地址,将通过数据线传送的输入数据分别锁存至第一页缓冲器块和第二页缓冲器块;以及控制信号发生电路,其适于产生多个页缓冲器选择信号来控制第一列解码器和第二列解码器选择性地对第一页缓冲器块和第二页缓冲器块执行数据锁存操作。

根据本发明的一个实施例,一种半导体存储器件可以包括:第一存储体和第二存储体,每个存储体包括存储单元和页缓冲器单元;输入/输出焊盘单元,其适于接收输入数据、命令信号和地址信号;第一列解码器和第二列解码器,其适于基于多个页缓冲器选择信号和列地址来分别控制第一存储体和第二存储体的页缓冲器单元的数据锁存操作;控制信号发生电路,其适于根据数据输入次序产生页缓冲器选择信号以阻断与第一列解码器霍第二列解码器相对应的页缓冲器单元的数据锁存操作;地址计数器,其适于通过由第一列解码器和第二列解码器共享的地址线来传送列地址;以及输入/输出控制电路,其适于将输入数据传送至与第一存储体和第二存储体的页缓冲器单元耦接的数据线。

根据本发明的一个实施例,一种半导体存储器件可以包括:多个存储体单元,每个存储体单元包括存储单元和页缓冲器单元;与相应的存储体单元相对应的多个列解码器,每个列解码器适于基于列地址和页缓冲器选择信号来控制对应的页缓冲器单元的数据锁存操作;控制信号发生电路,其适于基于命令信号来产生页缓冲器选择信号以激活页缓冲器单元的数据锁存操作;以及地址计数器,其适于对内部时钟进行计数以产生列地址,并且通过由列解码器共享的地址线来传送列地址。

附图说明

图1是图示半导体存储器件的框图;

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