[发明专利]晶圆级含硅通孔的半导体封装方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级含硅通孔的半导体封装方法，属于半导体封装领域。封装方法主要包含以下步骤：1，在盖板正面上制作有空腔结构；2，将盖板正面通过键合机同晶圆正面进行键合；3，通过研磨机对晶圆背面进行研磨，并进行去应力等离子刻蚀；4，从晶圆背面开始，将属于切割道区域的硅全部去除；5，对晶圆背面进行刻蚀以形成硅通孔孔洞，并将焊盘暴露出来；6，依次在晶圆背面、硅通孔孔内制作钝化层、金属层和防焊层以构成重分布线路层，从而将焊盘导通到晶圆背面预设的焊球位置；7，制作焊球并沿切割道进行切割。通过本发明专利的实施：提升了晶圆切割工艺的良率，降低了封装结构中的应力水平，减小了封装结构的外形尺寸。

主权项

一种晶圆级含硅通孔的半导体封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，盖板制作，采用刻蚀工艺，在盖板正面形成空腔结构；步骤2，晶圆键合，其中在晶圆正面包含多个芯片区，每个芯片区包括位于中央的功能区和四周的若干个焊盘；利用键合机，通过在盖板正面涂布一层键合胶，将盖板正面同晶圆正面键合在一起；步骤3，晶圆减薄，减薄过程分两步进行：首先，通过研磨机，对晶圆背面进行研磨，将晶圆减薄到设定厚度；然后，对减薄后的晶圆背面进行去应力等离子刻蚀；步骤4，切割道刻蚀，从晶圆背面开始，采用刻蚀工艺，将属于切割道区域的硅全部去除，直到暴露出键合胶；步骤5，硅通孔刻蚀，对晶圆背面进行刻蚀以形成硅通孔孔洞，同时，将位于晶圆正面的焊盘暴露出来；步骤6，重分布线路层，依次在晶圆背面、硅通孔孔内制作钝化层、金属层和防焊层以构成重分布线路层，从而将焊盘导通到晶圆背面预设的焊球位置；同时，将属于切割道及其附近区域的金属层进行去除，使金属层在四周边缘处被防焊层所包裹而不与外界直接接触。步骤7，焊球和切割，将焊球形成于晶圆背面的重分布线路层上，然后对晶圆沿着切割道进行切割以形成单颗芯片的封装。