[发明专利]用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器有效
| 申请号： | 201410616264.X | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105632761A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 谢志懋;王占东 | 申请（专利权）人： | 佛山市南海区欣源电子有限公司;广东欣源智能电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/005;H01G4/008;H01G4/015;H01G4/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，包括中空的盒式封装本体，所述盒式封装本体内固定安装电容芯子6，所述电容芯子6上焊接有两条引线1，所述两条引线1都从盒式封装本体的上表面伸出，所述电容芯子6是分别在两个平行的介质2的上表面上蒸镀金属镀层3形成的结构。本发明的有益效果是，高压、高频率的场合下应用。 | ||
| 搜索关键词： | 用高方阻 金属膜 制作 金属化 薄膜 电容器 | ||
【主权项】：
一种用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，包括中空的盒式封装本体，其特征在于，所述盒式封装本体内固定安装电容芯子（6），所述电容芯子（6）上焊接有两条引线（1），所述两条引线（1）都从盒式封装本体的上表面伸出，所述电容芯子（6）是分别在两个平行的介质（2）的上表面上蒸镀金属镀层（3）形成的结构。
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