[发明专利]AMOLED背板的制作方法

摘要

本发明提供一种AMOLED背板的制作方法，在图案化第一金属层形成第一栅极(61)、第二栅极(63)及电极板(65)后，以图案化的第一金属层为遮蔽层对图案化的多晶硅层进行N型轻掺杂；再沉积绝缘层(7)，对绝缘层(7)进行非等向性蚀刻，形成阻隔物(71)，以图案化的第一金属层与阻隔物(71)为遮蔽层对图案化的多晶硅层进行N型重掺杂，从而在第一栅极(61)的两侧于阻隔物(71)的正下方形成轻掺杂漏极区域(N‑)，能够使得开关TFT沟道区域两侧的轻掺杂漏极区域(N‑)对称，可缩短轻掺杂漏极区域(N‑)的长度，增大导通电流，有效降低光电流，且节省一道光罩，降低成本。

主权项

1.一种AMOLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积缓冲层(2)；/n步骤2、在缓冲层(2)上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行准分子激光退火处理，使得该非晶硅层结晶、转变为多晶硅层；再对多晶硅层进行图案化处理，形成相互间隔的第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(33)、及第三多晶硅段(35)；/n所述第三多晶硅段(35)位于第一多晶硅段(31)与第二多晶硅段(33)之间；/n步骤3、在所述缓冲层(2)与第一、第二、第三多晶硅段(31、33、35)上沉积栅极绝缘层(4)；/n步骤4、通过黄光制程在栅极绝缘层(4)上制作光刻胶图案(5)，该光刻胶图案(5)完全遮蔽第一多晶硅段(31)，遮蔽第二多晶硅段(33)的中部，完全不遮蔽第三多晶硅段(35)；/n步骤5、以所述光刻胶图案(5)为遮蔽层，对图案化的多晶硅层进行P型重掺杂，从而在第二多晶硅段(33)的两侧、及第三多晶硅段(35)形成P型重掺杂区域(P+)；/n步骤6、清除所述光刻胶图案(5)，在栅极绝缘层(4)上沉积并图案化第一金属层，形成第一栅极(61)、第二栅极(63)及电极板(65)；/n所述第一栅极(61)位于第一多晶硅段(31)中部的上方；/n步骤7、以图案化的第一金属层为遮蔽层对图案化的多晶硅层进行N型轻掺杂，从而在未被第一栅极(61)遮蔽的第一多晶硅段(31)的两侧形成N型轻掺杂区域(N-)；/n步骤8、在所述栅极绝缘层(4)与第一栅极(61)、第二栅极(63)及电极板(65)上沉积一层绝缘层(7)，再对该绝缘层(7)进行非等向性蚀刻，形成阻隔物(71)；/n位于所述第一栅极(61)两侧的阻隔物(71)对称；/n步骤9、以图案化的第一金属层与阻隔物(71)为遮蔽层对图案化的多晶硅层进行N型重掺杂，从而在第一栅极(61)的两侧于阻隔物(71)的正下方形成对称的轻掺杂漏极区域(N-)；/n步骤10、在栅极绝缘层(4)上依次通过沉积、黄光、蚀刻制程形成层间绝缘层(8)、第一与第二源/漏极(91、93)、平坦层(10)、阳极(11)、像素定义层(12)、及光阻间隙物(13)；/n所述第一源/漏极(91)电性连接于第一多晶硅段(31)的N型重掺杂区域(N+)，所述第二源/漏极(93)电性连接于第二多晶硅段(33)的P型重掺杂区域(P+)；所述阳极(11)电性连接于第二源/漏极(93)；/n所述第一多晶硅段(31)、第一栅极(61)与第一源/漏极(91)构成开关TFT；所述第二多晶硅段(33)、第二栅极(63)与第二源/漏极(93)构成驱动TFT；所述第三多晶硅段(35)与电极板(65)构成存储电容；/n所述P型重掺杂的浓度高于N型重掺杂的浓度；/n所述绝缘层(7)为富氧化硅层或富氮化硅层；/n所述绝缘层(7)的厚度为0.2～0.5um。/n