[发明专利]一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201410595793.6 | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN104362200A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18;H01L21/318;H01L21/22 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效晶硅太阳能电池,包括:背电极、铝背场、P型硅、N型硅、氮化硅膜和正电极;所述氮化硅膜上涂覆磷源,对涂覆有磷源的氮化硅膜通过激光刻蚀形成激光掺杂槽,使磷元素掺杂进所述激光掺杂槽的硅里,所述激光掺杂槽图案为线型正电极栅线图案;所述正电极底部处于所述激光掺杂槽之内。本发明还公开了一种制备高效晶硅太阳能电池的方法。采用本发明,通过激光掺杂磷源的方式形成激光掺杂槽,使硅片表面的磷掺杂浓度呈选择性分布,在栅线以内区域通过激光掺杂达到较高的磷掺杂浓度,保证栅线与硅的良好欧姆接触;在栅线以外区域采用高方阻扩散,达到较低的掺杂浓度,提升电池的开路电压和短路电流,从而提升电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高效晶硅太阳能电池,其特征在于,包括背电极、铝背场、P型硅、N型硅、氮化硅膜和正电极;所述氮化硅膜上涂覆磷源,对涂覆有磷源的氮化硅膜通过激光刻蚀形成激光掺杂槽,使磷元素掺杂进所述激光掺杂槽的硅里,所述激光掺杂槽图案为线型正电极栅线图案;在所述激光掺杂槽内通过丝网印刷方式印刷正电极浆料,形成正电极;所述激光掺杂槽宽度至少比所述正电极宽度宽10μm,所述正电极底部处于所述激光掺杂槽之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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