[发明专利]一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种高效晶硅太阳能电池，其特征在于，包括背电极、铝背场、P型硅、N型硅、氮化硅膜和正电极；

所述氮化硅膜上涂覆磷源，对涂覆有磷源的氮化硅膜通过激光刻蚀形成激光掺杂槽，使磷元素掺杂进所述激光掺杂槽的硅里，所述激光掺杂槽图案为线型正电极栅线图案；

在所述激光掺杂槽内通过丝网印刷方式印刷正电极浆料，形成正电极；

所述激光掺杂槽宽度至少比所述正电极宽度宽10μm，所述正电极底部处于所述激光掺杂槽之内。

2.如权利要求1所述的高效晶硅太阳能电池，其特征在于，所述激光掺杂槽宽度为40~80μm，所述正电极宽度为30~70μm。

3.如权利要求1所述的高效晶硅太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为75-90nm。

4.如权利要求1所述的高效晶硅太阳能电池，其特征在于，所述磷源为磷酸溶液；

所述磷酸溶液的磷酸浓度为1%~10%。

5.如权利要求1所述的高效晶硅太阳能电池，其特征在于，所述激光的功率为1~10W，波长为400~630nm，频率为30~70KW，光斑直径为40~80微米，脉冲时间为5~20ns，激光划线速度为100~1000m/s。

6.一种制备如权利要求1~5任一项所述的高效晶硅太阳能电池的方法，其特征在于，包括：

在硅片正面形成绒面；

在硅片正面进行高方阻磷扩散，扩散方阻为100~150Ω/□；

去除扩散过程形成的正面磷硅玻璃和周边P-N结；

在硅片正面采用PECVD镀膜，形成氮化硅膜；

在硅片正面涂覆磷源；

对涂覆有磷源的氮化硅膜通过激光刻蚀形成激光掺杂槽，使磷元素掺杂进所述激光掺杂槽的硅里，所述激光掺杂槽图案为线型正电极栅线图案，所述激光的功率为1~10W，波长为400~630nm，频率为30~70KW，光斑直径为40~80微米，脉冲时间为5~20ns，激光划线速度为100~1000m/s； 

在硅片背面印刷铝背场和背电极；

通过丝网印刷方式，在硅片正面的激光掺杂槽内印刷正电极浆料，形成正电极，所述激光掺杂槽宽度至少比所述正电极宽度宽10μm，使所述正电极底部处于所述激光掺杂槽之内；

将硅片进行烧结。

7.如权利要求6所述的高效晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光掺杂槽宽度为40~80μm，所述正电极宽度为30~70μm。

8.如权利要求6所述的高效晶硅太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为75-90nm。

9.如权利要求6所述的高效晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述磷源为磷酸溶液；

所述磷酸溶液的磷酸浓度为1%~10%。