[发明专利]CMOS器件及其制造方法

摘要

一种CMOS器件，包括多个NMOS和多个PMOS，每个NMOS以及每个PMOS均包括在衬底上的由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区，其中，每个NMOS的栅极金属层包括第一阻挡层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层、以及填充层，每个PMOS的栅极金属层包括第一阻挡层、第二阻挡层以及填充层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在PMOS区域中以较厚的顶部阻挡层作为PMOS功函数调节层，简化了PMOS器件金属栅堆叠结构，提高了超短取代栅中金属栅的填充率，极大提高短栅长下MG的CMOS应用性。

主权项

1.一种CMOS器件，包括多个NMOS和多个PMOS，每个NMOS以及每个PMOS均包括在衬底上的由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区，其中，每个NMOS的栅极金属层由第一阻挡层、第一刻蚀阻挡层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层、以及填充层构成，每个PMOS的栅极金属层由第一阻挡层、第二刻蚀阻挡层、第二阻挡层以及填充层构成，第二刻蚀阻挡层的厚度为第一刻蚀阻挡层的厚度的1/2～1/5。