[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201410545143.0 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104362234A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 许顺成;艾国齐 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明的第一目的在于提供一种LED芯片，包括包括n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层、P型电极以及N型电极等；包括n-GaN层、p-GaN层等形成凸形台面；凸形台面的上表面上设有电流扩展导电层，电流扩展导电层上设有贯穿其上表面和下表面的通孔；N型电极的下端设置在凸形台面的上表面上；P型电极的下端一部分贯穿通孔设置在p-GaN层的上表面上，另一部分设置在电流扩展导电层的上表面上。本发明的LED芯片整体结构设计合理，使得LED芯片掉电极的比例下降至5％以下，其光功率提高了4.79％左右。本发明的第二目的在于提供上述LED芯片的制作方法，工艺精简，工艺参数容易控制，便于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于：包括衬底(1)、缓冲层(2)、n‑GaN层(3)、多量子阱层(4)、p‑GaN层(5)、P型电极(6)以及N型电极(7)；所述衬底(1)、缓冲层(2)、n‑GaN层(3)、多量子阱层(4)以及p‑GaN层(5)形成凸形台面(8)；所述凸形台面(8)的上表面上同轴心设有电流扩展导电层(9)，所述电流扩展导电层(9)上设有贯穿其上表面和下表面的通孔(91)；所述N型电极(7)的下端设置在所述凸形台面(8)的上表面上；所述P型电极(6)的下端一部分贯穿所述通孔(91)设置在p‑GaN层(5)的上表面上，另一部分设置在所述电流扩展导电层(9)的上表面上；在垂直于所述凸形台面(8)的轴线(L)的平面上，所述P型电极(6)压在所述电流扩展导电层(9)上的横截面积与所述P型电极(6)的横截面积的比值为0.01‑0.95：1。
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