[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于：包括衬底(1)、缓冲层(2)、n-GaN层(3)、多量子阱层(4)、p-GaN层(5)、P型电极(6)以及N型电极(7)；

所述衬底(1)、缓冲层(2)、n-GaN层(3)、多量子阱层(4)以及p-GaN层(5)形成凸形台面(8)；

所述凸形台面(8)的上表面上同轴心设有电流扩展导电层(9)，所述电流扩展导电层(9)上设有贯穿其上表面和下表面的通孔(91)；

所述N型电极(7)的下端设置在所述凸形台面(8)的上表面上；

所述P型电极(6)的下端一部分贯穿所述通孔(91)设置在p-GaN层(5)的上表面上，另一部分设置在所述电流扩展导电层(9)的上表面上；在垂直于所述凸形台面(8)的轴线(L)的平面上，所述P型电极(6)压在所述电流扩展导电层(9)上的横截面积与所述P型电极(6)的横截面积的比值为0.01-0.95：1。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述P型电极(6)设置在p-GaN层(5)上表面上的一侧到所述N型电极(7)的最小垂直距离大于所述P型电极(6)设置在所述电流扩展导电层(9)上表面上的一侧到所述N型电极(7)的最小垂直距离。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述P型电极(6)的形状为方形柱体或弧形柱体；所述通孔(91)为方形通孔或弧形通孔。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的LED芯片，其特征在于：所述电流扩展导电层(9)的下表面到所述凸形台面(8)上表面的最大垂直距离为1-2μm，其侧面到所述凸形台面(8)的侧面的垂直距离为15-35μm。

5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于：在垂直于所述轴线(L)的平面上，所述P型电极(6)压在所述电流扩展导电层(9)上的横截面积与所述P型电极(6)的横截面积的比值为0.1082：1。

6.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于：在垂直于所述轴线(L)的平面上，所述P型电极(6)压在所述电流扩展导电层(9)上的横截面积与所述P型电极(6)的横截面积的比值为0.2003：1。

7.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于：在垂直于所述轴线(L)的平面上，所述P型电极(6)压在所述电流扩展导电层(9)上的横截面积与所述P型电极(6)的横截面积的比值为0.7262：1。

8.一种LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

第一步：制作凸形台面(8)，具体为：在衬底(1)上沉积缓冲层(2)，在缓冲层(2)上生长n-GaN层(3)，在n-GaN层(3)上生长多量子阱层(4)，在多量子阱层(4)上生长p-GaN层(5)，用干法刻蚀设备ICP刻蚀出台阶，形成凸形台面(8)；

第二步：沉积电流扩展导电层(9)，具体为：在所述凸形台面(8)的上表面上沉积电流扩展导电层(9)，再将所述电流扩展导电层(9)上开设贯穿其上表面和下表面的通孔(91)；

第三步：沉积P型电极(6)以及N型电极(7)，具体为：将N型电极(7)沉积在所述凸形台面(8)的上表面上，将P型电极(6)的下端一部分沉积在p-GaN层(5)的上表面上，另一部分沉积在所述电流扩展导电层(9)的上表面上。

9.根据权利要求8所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述第一步中用干法刻蚀设备ICP刻蚀出台阶时：刻蚀深度为1-2μm，切割道的宽度为15-35μm；所述电流扩展导电层(9)与所述凸形台面(8)同轴心设置。

10.根据权利要求8所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述衬底(1)的材料为蓝宝石或碳化硅；所述电流扩展导电层(9)的材质为铟锡氧化物。