[发明专利]埋入式DRAM器件及其形成方法

摘要

一种埋入式DRAM器件及其形成方法，其中埋入式DRAM器件的形成方法包括：提供衬底；形成第一、第二栅极以及源极和漏极；形成逻辑晶体管、通道晶体管，在通道晶体管的源极或者漏极上依次形成电介质层以及金属层进而形成电容器。埋入式DRAM器件包括：衬底、通道晶体管、电容器以及逻辑晶体管，通道晶体管的源极或漏极上有电介质层和金属层，所述通道晶体管的源极或者漏极、所述电介质层以及所述金属层用于构成电容器。本发明的有益效果在于，过在通道晶体管的源极或者漏极上形成电介质层以及金属层来形成存储器件的电容器，不需要像现有技术一样专门在衬底中形成深沟槽来形成电容器，简化了制作过程，减小了制作难度并且与常规制造流程的兼容性更好。

主权项

一种埋入式DRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储器件区以及至少一个逻辑器件区；在逻辑器件区的衬底上形成第一栅极并在存储器件区的衬底上形成第二栅极，在第一栅极两侧的衬底上形成逻辑晶体管的源极和漏极，并在第二栅极两侧的衬底上形成通道晶体管的源极和漏极；在所述通道晶体管的源极或者漏极上依次形成电介质层以及金属层，所述电介质层、金属层与所述通道晶体管的源极或者漏极用于构成电容器。