[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
| 申请号： | 201410504671.1 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105513966B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成鳍；在衬底上形成栅极结构，栅极结构横跨至少一个鳍，并覆盖鳍的侧壁与顶部；在鳍的侧壁形成侧墙；对栅极结构两侧的部分鳍进行刻蚀，以在鳍中形成第一凹槽；使构成第一凹槽的侧壁转变为氧化物；去除氧化物，剩余的鳍与侧墙形成第二凹槽；分别在栅极结构两侧的第二凹槽中形成源极或漏极。本发明的有益效果在于，形成的第二凹槽的底面较为平坦，有利于后续形成鳍式场效应管的源极与漏极，进而有利于提升鳍式场效应管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 效应管 鳍式场 衬底 侧壁 侧墙 漏极 源极 去除氧化物 侧壁转变 氧化物 底面 刻蚀 横跨 平坦 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述鳍，并覆盖所述鳍的侧壁与顶部；在所述鳍的侧壁形成侧墙；对所述栅极结构两侧的部分鳍进行刻蚀以在鳍中形成第一凹槽；使位于所述第一凹槽侧壁部分的鳍转变为氧化物；去除所述氧化物，剩余的鳍与所述侧墙形成第二凹槽；分别在栅极结构两侧的第二凹槽中填充材料层，以形成源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
