[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成鳍；

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述鳍，并覆盖所述鳍的侧壁与顶部；

在所述鳍的侧壁形成侧墙；

对所述栅极结构两侧的部分鳍进行刻蚀以在鳍中形成第一凹槽；

使位于所述第一凹槽侧壁部分的鳍转变为氧化物；

去除所述氧化物，剩余的鳍与所述侧墙形成第二凹槽；

分别在栅极结构两侧的第二凹槽中填充材料层，以形成源极和漏极。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽为V形或者U形结构。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在衬底上形成鳍的步骤包括：形成硅材料的鳍；

在鳍的侧壁形成侧墙的步骤包括：形成氮化物材料的侧墙。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对鳍进行刻蚀以形成第一凹槽的步骤包括：采用干法蚀刻以形成所述第一凹槽。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使位于所述第一凹槽的侧壁部分的鳍转变为氧化物的步骤包括：采用干法氧化使位于所述第一凹槽侧壁部分的鳍转变为氧化物。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用氧气或者臭氧使所述位于第一凹槽侧壁部分的鳍氧化，以形成所述氧化物。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，采用氧气使所述位于第一凹槽侧壁部分的鳍氧化的步骤包括：

使温度在100～300摄氏度的范围内，使压强在5～760托的范围内，氧气的流量在0.1～20标准升每分钟。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使位于所述第一凹槽侧壁部分的鳍转变为氧化物的步骤包括：采用湿法氧化使位于所述第一凹槽侧壁部分的鳍转变为氧化物。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用水蒸气使所述位于第一凹槽侧壁部分的鳍氧化，以形成所述氧化物。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，采用氢气和氧气形成水蒸气进而通过所述水蒸气使所述位于第一凹槽侧壁部分的鳍氧化，以形成所述氧化物。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，采用水蒸气使所述位于第一凹槽侧壁部分的鳍氧化的步骤包括：使温度在100～300摄氏度的范围内，使压强在5～760托的范围内，氧气的流量在0.1～20标准升每分钟的范围内，氢气的流量在0.1～10标准升每分钟的范围内。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使位于所述第一凹槽侧壁部分的鳍转变为氧化物之后，去除所述氧化物的步骤之前，所述形成方法还包括：去除位于鳍附近的剩余气体。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二凹槽中形成源极和漏极的步骤包括：采用外延生长的方式在所述第二凹槽中填充材料层，以形成源极和漏极。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使鳍被氧化的厚度范围为0.5～5纳米。

15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤包括，提供包括NMOS区域以及PMOS区域的衬底；

在衬底上形成鳍的步骤包括：分别在NMOS区域以及PMOS区域的衬底上形成鳍；

在所述衬底上形成栅极结构的步骤包括：分别在NMOS区域以及PMOS区域的鳍上形成P型栅极结构和N型栅极结构；

在所述第二凹槽中形成源极和漏极的步骤包括：分别在P型栅极结构两侧的第二凹槽中形成碳化硅材料，以形成源极和漏极；分别在N型栅极结构两侧的第二凹槽中形成锗硅材料，以形成源极和漏极。