[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件的制造方法。于基底上形成多个栅极结构，并于相邻两个栅极结构之间形成第一介电层；第一介电层的上表面低于栅极结构的上表面，且具有凹槽；再形成覆盖栅极结构、第一介电层与凹槽的中间层，并于其中形成多个开口；每一开口位于相邻两个栅极结构之间，并经由开口移除第一介电层；接着，于中间层上形成第二介电层，以在相邻两个栅极结构之间定义出空气间隙。本发明还提出一种半导体元件。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底上形成多个栅极结构；于相邻两个栅极结构之间形成一第一介电层，该第一介电层的上表面低于这些栅极结构的上表面，且具有一第一凹槽；于基底上形成一中间层，覆盖这些栅极结构、该第一介电层与这些第一凹槽，该中间层具有一第二凹槽于该第一凹槽上；于该中间层上形成一材料层，对该材料层进行非等向性刻蚀，以于该第二凹槽的侧壁形成间隙壁，该间隙壁裸露出该中间层；以间隙壁做为掩模，移除所暴露的该中间层，形成多个开口，每一开口位于相邻两个栅极结构之间；经由这些开口，移除相邻两个栅极结构之间的该第一介电层与这些间隙壁；以及于该中间层上形成一第二介电层，其中相邻两个栅极结构、第二介电层以及该中间层界定出一空气间隙，且该空气间隙的高度高于栅极结构的栅极导体层的上表面。