[发明专利]一种半导体装置及其制造方法

摘要

本公开公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括在半导体衬底上依次形成绝缘层和多晶硅层；在所述多晶硅层上形成图案化的第一阻挡物，并且以所述第一阻挡物为掩模进行刻蚀，形成栅极结构；在所述半导体衬底和所述第一阻挡物上形成第二阻挡物；对所述第二阻挡物进行刻蚀形成开口，使得所述开口露出所述半导体衬底的至少一部分以及所述第一阻挡物的至少一部分；利用所述第一和第二阻挡物作为掩模，从所述开口向所述半导体衬底进行离子注入形成阱区。该半导体装置和制造方法利用离子注入对栅极的自对准功能，实现了栅极阻挡物在离子注入工艺中对栅极的保护作用，并且精确控制了离子注入的注入区域，减小了暗电流的产生。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底上的栅极结构；形成在所述栅极结构上的图案化的第一牺牲物；形成在所述半导体衬底和所述第一牺牲物上的第二牺牲物，其中所述第一牺牲物和所述第二牺牲物能够分别在不同的条件下被去除至少一部分，所述第二牺牲物具有开口，所述开口暴露出所述半导体衬底的至少一部分以及所述第一牺牲物的至少一部分；以及所述开口暴露形成在所述半导体衬底中的阱区。