[发明专利]半导体装置以及其制造方法在审
| 申请号： | 201410489794.2 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465770A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 冈崎拓行;加茂宣卓;野上洋一;小山英寿;宫国晋一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置容易降低电路部的导体损耗，提高高频特性和可靠性，堆积填充材料。在Si衬底1的第1主表面上形成有由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的缓冲层(2)。在缓冲层(2)上形成有由AlyGa1-yN(0≤y≤1，x≠y)构成的外延结晶生长层(5)。在外延结晶生长层(5)中形成有晶体管(8)。在从Si衬底(1)的第2主表面到达缓冲层(2)的通孔(15)中填充有填充材料(16)。填充材料(16)由与缓冲层(2)相同的组成比x的AlxGa1-xN构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：Si衬底，其具有彼此相对的第1以及第2主表面；缓冲层，其形成在所述Si衬底的所述第1主表面上，由AlxGa1‑xN(0≤x≤1)构成；外延结晶生长层，其形成在所述缓冲层上，由AlyGa1‑yN(0≤y≤1，x≠y)构成；晶体管，其形成在所述外延结晶生长层上；以及填充材料，其填充在从所述Si衬底的所述第2主表面到达所述缓冲层的通孔中，由与所述缓冲层相同的组成比x的AlxGa1‑xN构成。
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