[发明专利]PECVD机台和系统有效
申请号: | 201410479001.9 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN105483653B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 彭亮;崔晓娟;徐锋 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100871 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种PECVD机台和PECVD系统,该PECVD机台包括:真空腔、容器和真空泵,质量流量计以及若干管道;其中,所述质量流量计设置在所述容器的进气管道上;所述容器通过管道与所述真空腔相连,所述真空腔通过管道与所述真空泵相连;所述PECVD机台还包括一个第一气动阀,所述第一气动阀位于所述质量流量计的进气管道上。由于本发明提供的PECVD机台中,在质量流量计的前面设置气动阀,这样不但可以降低气体对质量流量计的冲击,而且在质量流量计零点发生漂移时,能够保证气体会隔离在该气动阀之前,而不会提前进入到质量流量计与容器之间。这样就避免了氦气失真,进而避免由此产生的圆片效应。 1 | ||
搜索关键词: | 质量流量计 机台 气动阀 真空腔 进气管 真空泵 漂移 氦气 圆片 失真 隔离 保证 | ||
所述PECVD机台还包括一个第一气动阀,所述第一气动阀位于所述质量流量计的进气管道上;
所述PECVD机台还包括过滤器、第二气动阀、第三气动阀和第五气动阀;
所述过滤器设置在所述容器和所述真空腔之间的管道上;
所述第二气动阀设置在所述容器和所述真空腔之间的管道上,且位于所述过滤器的进气方向上;
所述第三气动阀设置在所述容器和所述真空腔之间的管道上,且位于所述第二气动阀的进气方向上;
所述容器的进气管道还通过一个冗余管道与所述第二气动阀和所述第三气动阀之间的管道联通,所述第五气动阀设置在所述冗余管道上。
2.如权利要求1所述的机台,其特征在于,还包括一个第四气动阀,所述第四气动阀设置在所述质量流量计和所述容器之间的管道上。3.如权利要求2所述的机台,其特征在于,所述第一气动阀和所述第四气动阀连接同一控制信号输入端。4.如权利要求1所述的机台,其特征在于,所述第一气动阀和所述质量流量计连接同一控制信号输入端。5.如权利要求1所述的机台,其特征在于,所述第一气动阀与所述质量流量计之间的距离小于10cm。6.一种等离子化学气相积淀PECVD系统,其特征在于,包括如权利要求1‑5任一项所述的PECVD机台。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司,未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的