[发明专利]PECVD机台和系统

说明书

本发明提供了一种PECVD机台和PECVD系统，该PECVD机台包括：真空腔、容器和真空泵，质量流量计以及若干管道；其中，所述质量流量计设置在所述容器的进气管道上；所述容器通过管道与所述真空腔相连，所述真空腔通过管道与所述真空泵相连；所述PECVD机台还包括一个第一气动阀，所述第一气动阀位于所述质量流量计的进气管道上。由于本发明提供的PECVD机台中，在质量流量计的前面设置气动阀，这样不但可以降低气体对质量流量计的冲击，而且在质量流量计零点发生漂移时，能够保证气体会隔离在该气动阀之前，而不会提前进入到质量流量计与容器之间。这样就避免了氦气失真，进而避免由此产生的圆片效应。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种PECVD机台和系统。

背景技术

PECVD(等离子化学气相淀积)设备，是通过利用等离子体中的高能电子，把参与CVD(化学气相淀积)反应气体分子加以解离，并在晶片表面与其它气体分子发生化学反应，在较低的温度下产生所需固态沉积物的一种CVD技术。由于工艺条件是在漏率小于10毫托每分钟的真空腔室进行，气体管路中气体的流量就会对整个淀积过程产生很大的影响。因此若机台闲置时间较长，由于管路或腔体环境的变化，第一片或前面几片硅片的淀积膜厚会出现异常(厚度偏差)，即产生第一圆片效应。行业内经常会采用淀积前运行前清洗菜单来解决此问题，但是由于管路设计缺陷，此方法也不能有很好的效果。

发明内容

本发明提供了一种PECVD机台和系统，能够有效减少第一圆片效应。

本发明提供了一种PECVD机台，该机台包括：真空腔、容器和真空泵，质量流量计以及若干管道；其中，所述质量流量计设置在所述容器的进气管道上；所述容器通过管道与所述真空腔相连，所述真空腔通过管道与所述真空泵相连；

所述PECVD机台还包括一个第一气动阀，所述第一气动阀位于所述质量流量计的进气管道上。

进一步的，还包括一个过滤器，所述过滤器设置在所述容器和所述真空腔之间的管道上。

进一步的，还包括一个第二气动阀，所述气动阀设置在所述容器和所述真空腔之间的管道上，且位于所述过滤器的进气方向上。

进一步的，还包括一个第三气动阀，所述第三气动阀设置在所述容器和所述真空腔之间的管道上，且位于所述第二气动阀的进气方向上。

进一步的，还包括一个第四气动阀，所述第四气动阀设置在所述质量流量计和所述容器之间的管道上。

进一步的，所述第一气动阀和所述第四气动阀连接同一控制信号输入端。

进一步的，所述容器的进气管道还通过一个冗余管道与所述第二气动阀和所述第三气动阀之间的管道联通；所述机台还包括一个第五气动阀，所述第五气动阀设置在所述冗余管道上。

进一步的，所述第一气动阀和所述质量流量计连接同一控制信号输入端。

进一步的，所述第一气动阀与所述质量流量计之间的距离小于10cm。

本发明还提供了一种等离子化学气相积淀PECVD系统，包括上述任一项所述的PECVD机台。

本发明提供的PECVD机台中，在质量流量计的前面设置气动阀，这样不但可以降低气体对质量流量计的冲击，而且在质量流量计零点发生漂移时，能够保证气体会隔离在该气动阀之前，而不会提前进入到质量流量计与容器之间。这样就避免了通入到容器中的氦气失真，进而避免由此产生的圆片效应。

附图说明

图1为现有技术中PECVD机台的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种PECVD的结构示意图。

具体实施方式