[发明专利]一种晶圆结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410461915.2 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105895632A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李冰 | 申请（专利权）人： | 上海硅通半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/71 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200437 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆结构及其制作方法。其中，本发明公开的晶圆结构包括至少一个体硅结构部分、至少一个SOI结构部分以及至少一个用来在制作该晶圆结构过程中分隔所述体硅结构部分和SOI结构部分的硅槽。硅槽可以在后续工艺步骤中，用任何合适的填充物来进行填充或是不填充；也可以通过外延生长工艺，在硅槽中生长单晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆结构，其特征在于，所述晶圆结构包括至少一个体硅结构部分、至少一个SOI结构部分和至少一个硅槽，所述体硅结构部分与所述SOI结构部分由所述硅槽隔开，所述体硅结构部分与所述SOI结构部分的衬底硅相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
