[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201410445082.0 申请日: 2014-09-03
公开(公告)号: CN105428510B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 林厚德;张超雄;陈滨全;陈隆欣 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 代理人: 汪飞亚
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种覆晶式发光二极管封装结构,包括基板及位于基板之上的LED芯片,所述LED芯片包括P电极和N电极,还包括固定于基板的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起,所述P电极与N电极分别通过导电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一凸起及第二凸起的顶面边缘。本发明所述覆晶式发光二极管封装结构性能稳定,出光效率高。
搜索关键词: 覆晶式 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
一种覆晶式发光二极管封装结构,包括基板及位于基板之上的LED芯片,所述LED芯片包括P电极和N电极,还包括固定于基板的第一电极和第二电极,其特征在于:所述第一电极和第二电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起,所述P电极与N电极分别通过导电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一凸起及第二凸起的顶面边缘,所述第一凸起和所述第二凸起的顶面面积之和小于所述P电极和N电极的底面面积之和,所述第一凸起和所述第二凸起相对侧均外露于所述导电胶之外。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410445082.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top