[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201410445082.0 申请日: 2014-09-03
公开(公告)号: CN105428510B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 林厚德;张超雄;陈滨全;陈隆欣 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 代理人: 汪飞亚
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 覆晶式 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种覆晶式发光二极管封装结构,包括基板及位于基板之上的LED芯片,所述LED芯片包括P电极和N电极,还包括固定于基板的第一电极和第二电极,其特征在于:所述第一电极和第二电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起,所述P电极与N电极分别通过导电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一凸起及第二凸起的顶面边缘,所述第一凸起和所述第二凸起的顶面面积之和小于所述P电极和N电极的底面面积之和,所述第一凸起和所述第二凸起相对侧均外露于所述导电胶之外。

2.如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一电极和第二电极进一步包括位于基板底部的第一焊接部和第二焊接部,以及连接第一焊接部和第一凸起的第一连接部、连接第二焊接部和第二凸起的第二连接部。

3.如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一电极和第二电极将基板分割为相互独立的第一基板、第二基板和第三基板,所述第二基板位于第一电极和第二电极之间并将第一电极与第二电极间隔。

4.如权利要求2所述覆晶式发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一凸起、第二凸起以及第一焊接部和第二焊接部的纵截面呈矩形,所述第一焊接部、第二焊接部的纵截面面积分别大于所述第一凸起、第二凸起的纵截面面积。

5.如权利要求2所述覆晶式发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一连接部和第二连接部的纵截面呈矩形。

6.如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构,其特征在于:所述基板上还形成有封装胶体层,所述封装胶体层包覆所述LED芯片。

7.如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构,其特征在于:所述基板由绝缘材料制成。

8.如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构,其特征在于:所述P电极和N电极由金属材料制成。

9.如权利要求1所述覆晶式发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一电极和第二电极由导热及导电性能良好的材料制成。

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