[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201410445082.0 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN105428510B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 林厚德;张超雄;陈滨全;陈隆欣 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆晶式 发光二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种覆晶式发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管因具有生产成本低、结构简单、低能耗低污染、体积小及容易安装等优势被大量用于照明光源及显示技术中。
传统的覆晶式发光二极管包括依次堆叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层及形成在覆晶式发光二极管形同一侧并与N型半导体层及P型半导体层电连接的N电极及P电极。在覆晶式发光二极管封装时，所述覆晶式发光二极管通过导电胶固定在基板上，并将覆晶式发光二极管电极与基板上对应电极连接。然而在通常情况下，因为导电胶会沿着导热率大的N电极及P电极流动而使N电极与P电极之间虚焊而导致爬锡现象产生，进而导致N电极与P电极之间容易发生短路，使得覆晶式发光二极管结构不能正常工作，而且因爬锡而露出至覆晶式发光二极管外部的导电胶会吸收覆晶式发光二极管边缘发出的光线，导致覆晶式发光二极管出光效率降低。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种性能稳定出光效率高的覆晶式发光二极管封装结构。
一种覆晶式发光二极管封装结构，包括基板及位于基板之上的LED芯片，所述LED芯片包括P电极和N电极，还包括固定于基板的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别具有位于基板顶面之上的第一凸起和第二凸起，所述P电极与N电极分别通过导电胶固定于所述第一凸起和第二凸起的顶面且P电极及N电极的底面边缘超出所述第一凸起及第二凸起的顶面边缘。
本发明所述覆晶式发光二极管的封装结构可以避免所述LED芯片封装过程中导电胶爬锡而造成LED芯片短路，提升覆晶式发光二极管的稳定性及出光效率。
附图说明
图1为本发明第一实施例所示覆晶式发光二极管封装基板的剖视图。
图2为本发明第一实施例所示覆晶式发光二极管封装结构剖视图。
图3为本发明第二实施例所示覆晶式发光二极管的封装结构的剖视图。
主要元件符号说明
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