[发明专利]一种叠加电容及其制作方法在审
| 申请号： | 201410444616.8 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105449007A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 高永亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种叠加电容及其制作方法，包括以层叠形式相互并联的一个MOS电容、一个PIP电容和至少一个MIM电容，包括：半导体衬底，在半导体衬底内形成有阱区用作MOS电容的下极板，半导体衬底上形成有栅极介电层，在栅极介电层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层用作MOS电容的上极板；第一多晶硅层也用作所述PIP电容的下极板，形成于所述第一多晶硅层上的PIP电容介质层，在PIP电容介质层的上方形成有第二多晶硅层，用作所述PIP电容的上极板；所述PIP电容和所述MOS电容之上形成有第一层间介电层，在所述第一层间介电层上形成有所述MIM电容。根据本发明的叠加电容，其具有更大的单位电容，可以节约开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 叠加 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种叠加电容，其特征在于，包括以层叠形式相互并联的一个MOS电容、一个PIP电容和至少一个MIM电容，所述MOS电容包括：半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有阱区用作所述MOS电容的下极板，所述半导体衬底上形成有栅极介电层，在所述栅极介电层上形成有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层用作所述MOS电容的上极板；所述PIP电容包括:所述第一多晶硅层也用作所述PIP电容的下极板，形成于所述第一多晶硅层上的PIP电容介质层，在所述PIP电容介质层的上方形成有第二多晶硅层，用作所述PIP电容的上极板；在所述PIP电容和所述MOS电容上形成有第一层间介电层，在所述第一层间介电层上形成有所述MIM电容，该MIM电容包括位于所述第一层间介电层上的所述MIM电容的下极板，位于所述MIM电容的下极板上方的MIM电容介质层以及所述MIM电容的上极板。
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