[发明专利]焊盘、半导体器件和半导体器件的制造工艺有效
| 申请号： | 201410443164.1 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105374775B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 金晨;乔中辰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种焊盘、半导体器件和半导体器件的制造工艺。焊盘包括金属柱，金属柱的第一端具有凹部；焊料凸块，焊料凸块设置在金属柱的凹部处；焊垫，焊垫与金属柱的第二端连接。由于金属柱的第一端具有凹部，且焊料凸块设置在金属柱的凹部处，因而有效防止焊料凸块在回流工艺时顺着金属柱的边缘流下形成介金属化合物，从而有效避免焊料凸块过多消耗和金属柱机械强度变弱，进而提高了半导体器件的封装可靠性。同时，本申请中的焊盘具有结构简单、制造成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 焊盘 半导体器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造工艺，其特征在于，包括对金属柱(10)进行工艺处理，以使所述金属柱(10)的第一端形成凹部(11)，所述对金属柱(10)进行工艺处理时，调节电镀药液比例，以使所述金属柱(10)的第一端形成所述凹部(11)，所述制造工艺还包括在所述对金属柱(10)进行工艺处理后的：步骤S10：在所述金属柱(10)的所述凹部(11)处沉积阻挡层(40)；步骤S20：在所述阻挡层(40)上沉积焊料凸块(20)，所述阻挡层(40)的金属性大于所述金属柱(10)和所述焊料凸块(20)的金属性，所述制造工艺还包括在所述步骤S20后的：步骤S30：烘烤处理，以使所述金属柱(10)的外壁形成第一金属氧化层(12)、所述焊料凸块(20)的外壁形成第二金属氧化层(21)、所述阻挡层(40)的外壁形成第三金属氧化层(41)；步骤S40：回流处理，以使所述第一金属氧化层(12)和所述第二金属氧化层(21)被还原。
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